ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায

PIMD3,115

পার্ট স্টক: 131413

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PUMD6,125

পার্ট স্টক: 197815

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 1mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PBLS1503Y,115

পার্ট স্টক: 135342

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 15V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

শুভেচ্ছা

PUMD3,115

পার্ট স্টক: 192098

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PUMH1,115

পার্ট স্টক: 135140

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

IMD23T108

পার্ট স্টক: 153074

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

EMD30T2R

পার্ট স্টক: 163367

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 30V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V,

শুভেচ্ছা

DCX142JH-7

পার্ট স্টক: 136718

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 470 Ohms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDA122LH-7

পার্ট স্টক: 193048

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 220 Ohms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DCX142TU-7-F

পার্ট স্টক: 178826

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 470 Ohms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DCX114YU-7

পার্ট স্টক: 1405

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 68 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

NSBC114EPDXV6T1

পার্ট স্টক: 1506

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

NSBC144EPDXV6T5G

পার্ট স্টক: 158937

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

NSM21356DW6T1G

পার্ট স্টক: 1509

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 65V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

শুভেচ্ছা

UMC3NT1G

পার্ট স্টক: 190376

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

SMUN5237DW1T1G

পার্ট স্টক: 103555

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

NSBC114EDXV6T1G

পার্ট স্টক: 136254

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

IMD10AMT1G

পার্ট স্টক: 131028

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 13 kOhms, 130 Ohms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

শুভেচ্ছা

EMF18XV6T5G

পার্ট স্টক: 145445

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 60V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V,

শুভেচ্ছা

NSVMUN5333DW1T1G

পার্ট স্টক: 176542

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

MUN5336DW1T1G

পার্ট স্টক: 115654

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 100 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 100 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

RN1968(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 134854

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN4982,LF(CT

পার্ট স্টক: 158270

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN4606(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 9902

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN1905(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1375

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN1911FETE85LF

পার্ট স্টক: 142375

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

শুভেচ্ছা

XN0111000L

পার্ট স্টক: 1458

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UP04311G0L

পার্ট স্টক: 169891

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UP0411MG0L

পার্ট স্টক: 1477

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

XP0111100L

পার্ট স্টক: 1396

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

XP0121200L

পার্ট স্টক: 1396

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

XP0111900L

পার্ট স্টক: 171022

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

DMC261010R

পার্ট স্টক: 122595

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা