ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 2

CDM3-800 TR13

পার্ট স্টক: 132151

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CXDM1002N TR

পার্ট স্টক: 147969

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 300 mOhm @ 2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CZDM1003N TR

পার্ট স্টক: 108607

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 mOhm @ 2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMPDM7002AG BK

পার্ট স্টক: 145208

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 280mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CWDM3011N TR13

পার্ট স্টক: 172344

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CXDM4060P TR

পার্ট স্টক: 170761

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 6A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CDM4-650 TR13

পার্ট স্টক: 148662

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.7 Ohm @ 2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CDM7-650 TR13

পার্ট স্টক: 105754

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 3.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CWDM3011P TR13

পার্ট স্টক: 191354

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CDM7-600LR TR13

পার্ট স্টক: 99161

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 580 mOhm @ 3.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CDM4-600LR TR13

পার্ট স্টক: 132152

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 950 mOhm @ 2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMUDM8001 TR

পার্ট স্টক: 189069

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMPDM7002AG TR

পার্ট স্টক: 166687

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 280mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMUDM8004 TR

পার্ট স্টক: 185096

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMLDM7120G TR

পার্ট স্টক: 164990

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMUDM8005 TR

পার্ট স্টক: 178585

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 650mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMUDM7001 TR

পার্ট স্টক: 146251

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMUDM7005 TR

পার্ট স্টক: 108395

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 650mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM7001 BK

পার্ট স্টক: 191174

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMPDM7003 TR

পার্ট স্টক: 128484

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 280mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CTLDM3590 TR

পার্ট স্টক: 25667

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 160mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.2V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM7004 TR

পার্ট স্টক: 184138

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.78A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CTLDM7120-M621H TR

পার্ট স্টক: 139896

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM8001VL TR

পার্ট স্টক: 155535

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMPDM7002AHC TR

পার্ট স্টক: 171840

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM7004VL TR

পার্ট স্টক: 127234

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM7001VL TR

পার্ট স্টক: 137013

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM8001 TR

পার্ট স্টক: 139183

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM8004VL TR

পার্ট স্টক: 159023

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM7001 TR

পার্ট স্টক: 100975

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CMUDM7004 TR

পার্ট স্টক: 173585

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CTLDM7590 TR

পার্ট স্টক: 24449

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 140mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.2V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM8004 TR

পার্ট স্টক: 176079

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM7002AE TR

পার্ট স্টক: 188924

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 300mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM8004 BK

পার্ট স্টক: 162798

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Central Semiconductor Corp

CEDM8001 BK

পার্ট স্টক: 149672

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা