মূল প্রকার: ER, সহনশীলতা: ±5%, গ্যাপ: 3C92, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ER 23 x 3.6 x 13,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C96, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 32 x 6 x 20,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C90, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 42 x 21 x 15,
মূল প্রকার: U, গ্যাপ: 3C94, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): U 93 x 52 x 30,
মূল প্রকার: EFD, আনয়ন কারখানা (আল): 63nH, সহনশীলতা: ±5%, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): EFD 12 x 6 x 3.5,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C94, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 19 x 8 x 9,
মূল প্রকার: EP, সহনশীলতা: ±25%, গ্যাপ: 3C91, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): EP 10,
মূল প্রকার: RM, আনয়ন কারখানা (আল): 400nH, সহনশীলতা: ±3%, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): RM 12,
মূল প্রকার: P (Pot Core), আনয়ন কারখানা (আল): 4µH, সহনশীলতা: ±25%, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা ()e): 18.40mm, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): P 18 x 11,
মূল প্রকার: PQ, সহনশীলতা: ±25%, গ্যাপ: 3C96, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): PQ 50 x 30,
মূল প্রকার: PLT, গ্যাপ: 3C95, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): PLT 14 x 5 x 1.5,
মূল প্রকার: EFD, গ্যাপ: 3C95, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): EFD 30 x 15 x 9,
মূল প্রকার: ER, গ্যাপ: 3C95, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ER 41 x 7.6 x 32,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 22 x 6 x 16,
মূল প্রকার: Toroid, গ্যাপ: 3E27, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা ()e): 63.00mm,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C92, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 64 x 10 x 50,
মূল প্রকার: ER, সহনশীলতা: ±25%, গ্যাপ: 3C96, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ER 14.5 x 3 x 7,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C90, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 32 x 6 x 20,
মূল প্রকার: ETD, গ্যাপ: 3C95, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ETD 49 x 25 x 16,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C96, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 43 x 10 x 28,
মূল প্রকার: ROD, গ্যাপ: 3C90, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা ()e): 10.00mm, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ROD 10 x 50,
মূল প্রকার: EFD, গ্যাপ: 3C95, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): EFD 20 x 10 x 7,
মূল প্রকার: ROD, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা ()e): 5.00mm, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ROD 5 x 25,
মূল প্রকার: PQ, গ্যাপ: 3C95, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): PQ 50 x 50,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 41 x 17 x 12,
মূল প্রকার: Toroid, গ্যাপ: 3C90, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা ()e): 58.30mm,
মূল প্রকার: ETD, গ্যাপ: 3C97, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ETD 54 x 28 x 19,
মূল প্রকার: EQ, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): EQ 20,
মূল প্রকার: RM, আনয়ন কারখানা (আল): 400nH, সহনশীলতা: ±3%, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): RM 8,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3F4, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 43 x 10 x 28,
মূল প্রকার: PLT, গ্যাপ: 3F46, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): PLT 30 x 20 x 3,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C97, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 22 x 6 x 16,
মূল প্রকার: Toroid, সহনশীলতা: ±25%, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা ()e): 29.95mm, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): TX 29 x 19 x 15,
মূল প্রকার: E, গ্যাপ: 3C92, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): E 43 x 10 x 28,
মূল প্রকার: ETD, গ্যাপ: 3F36, প্রাথমিক প্রবেশযোগ্যতা ()i): ETD 49 x 25 x 16,
