ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 400V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: Yes, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 300V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 5000A (5kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 90V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 470V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 5000A (5kA), সহনশীলতা: ±15%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: User Defined,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 200V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 1000A (1kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 420V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 1000A (1kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 150V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 350V, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 75V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 140V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 75V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 250V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 600V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 800V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 5000A (5kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 300V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 75V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 350V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: Yes, মাউন্টিং প্রকার: User Defined,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 350V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 600V, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 250V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 300V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 1000A (1kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 90V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 5000A (5kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 600V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 3000A (3kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Surface Mount,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 350V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: Yes, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 470V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 230V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 400V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 5000A (5kA), পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 150V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 20000A (20kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 600V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 10000A (10kA), পোলের সংখ্যা: 3, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 1000V, সহনশীলতা: ±15%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 7200V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 5000A (5kA), সহনশীলতা: ±20%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 200V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 1000A (1kA), সহনশীলতা: ±15%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
ভোল্টেজ - ডিসি স্পার্ক ওভার (নাম): 500V, ইমপালস স্রাব বর্তমান (8 / 20µs): 1500A (1.5kA), সহনশীলতা: ±10%, পোলের সংখ্যা: 2, সংক্ষিপ্ত ব্যর্থ: No, মাউন্টিং প্রকার: Through Hole,
