তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 600nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.67V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V, ক্যাপাসিট্যান্স: 86pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 650nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 21nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.1V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 3V, ক্যাপাসিট্যান্স: 60pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 660nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.02V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 80mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V, ক্যাপাসিট্যান্স: 86pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 820nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.7V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1.8V, ক্যাপাসিট্যান্স: 55pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 1300nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 137nm,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 0.4nm, ক্যাপাসিট্যান্স: 0.1µF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 820nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.7V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 3.8V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 660nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.67V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 80mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V, ক্যাপাসিট্যান্স: 86pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 50nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V, ক্যাপাসিট্যান্স: 70pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 850nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.2V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 10V, ক্যাপাসিট্যান্স: 100pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 1310nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 2nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.5V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 150mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 2V, ক্যাপাসিট্যান্স: 15pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 645nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 20nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V, ক্যাপাসিট্যান্স: 35pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 430nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 65nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 4.5V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 35mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V, ক্যাপাসিট্যান্স: 100pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.8V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.1V (Max), কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 0.85nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.75V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 15mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 5V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 3.3V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 235mA,
