চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Single, ড্রাইভার সংখ্যা: 1, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 18V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.4V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Single, ড্রাইভার সংখ্যা: 1, গেটের ধরণ: N-Channel, P-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 18V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.4V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel, P-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 18V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.4V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 8V ~ 12.6V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4V ~ 15V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.1V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: 3-Phase, ড্রাইভার সংখ্যা: 6, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.2V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 12V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 6V, 9.5V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 3.3V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 6V, 9.5V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.7V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Single, ড্রাইভার সংখ্যা: 1, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 12V ~ 18V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.2V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: 3-Phase, ড্রাইভার সংখ্যা: 6, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 3V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 6V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.7V,
চালিত কনফিগারেশন: High-Side, চ্যানেল প্রকার: Single, ড্রাইভার সংখ্যা: 1, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 6V, 9.5V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.7V, 2.2V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 3V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 6V, 9.5V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 20V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2.5V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 6, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel, P-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 5V ~ 35V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Synchronous, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 5V ~ 30V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2V,
চালিত কনফিগারেশন: High-Side, চ্যানেল প্রকার: Single, ড্রাইভার সংখ্যা: 1, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 3.5V ~ 135V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 15V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Synchronous, ড্রাইভার সংখ্যা: 4, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 10.8V ~ 13.2V,
চালিত কনফিগারেশন: High-Side or Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Synchronous, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 16V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.6V, 2.4V,
চালিত কনফিগারেশন: Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 16V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 1.85V, 3.15V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: 3-Phase, ড্রাইভার সংখ্যা: 6, গেটের ধরণ: N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 7V ~ 15V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 1V, 2.5V,
চালিত কনফিগারেশন: High-Side or Low-Side, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 4, গেটের ধরণ: N-Channel, P-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 18V, লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 0.8V, 2V,
চালিত কনফিগারেশন: Half-Bridge, চ্যানেল প্রকার: Independent, ড্রাইভার সংখ্যা: 2, গেটের ধরণ: IGBT, N-Channel MOSFET, ভোল্টেজ সরবরাহ: 17V (Max), লজিক ভোল্টেজ - ভিআইএল, ষষ্ঠ: 1.5V, 3.6V,
