সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 31.496" (800mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10.8V ~ 264V, প্রতিক্রিয়া সময়: 20ms, 30ms, সংযোগ পদ্ধতি: Terminal,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, Polarized, সংবেদনের দূরত্ব: 196.850" (5m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, সংবেদনের দূরত্ব: 3.937" (100mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 40V, প্রতিক্রিয়া সময়: 3.2ms, 5ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M18, 4POS,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 787.4" (20m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 40V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1.6ms, 4.2ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M18, 4POS,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 787.4" (20m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 40V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1.6ms, 4.2ms, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M18, 4POS,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 5.906" (150mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 590.551" (15m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 12V ~ 24V, প্রতিক্রিয়া সময়: 40ms, 50ms, সংযোগ পদ্ধতি: Terminal,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, Polarized, সংবেদনের দূরত্ব: 118.110" (3m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 330µs, 660µs, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 39.370" (1m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 787.4" (20m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10.8V ~ 264V, প্রতিক্রিয়া সময়: 20ms, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 590.551" (15m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 12V ~ 24V, প্রতিক্রিয়া সময়: 50ms, 40ms, সংযোগ পদ্ধতি: Terminal,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, Polarized, সংবেদনের দূরত্ব: 236.2" (6m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 40V, প্রতিক্রিয়া সময়: 4ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Terminal,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 7.874" (200mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M12, 4POS,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 7.874" (200mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 472.441" (12m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 5ms, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 31.496" (800mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 590.551" (15m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, সংবেদনের দূরত্ব: 78.740" (2m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, Polarized, সংবেদনের দূরত্ব: 236.2" (6m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 39.370" (1m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M12,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 787.4" (20m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 10ms, 20ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, সংবেদনের দূরত্ব: 472" (12m) 39.4', ভোল্টেজ সরবরাহ: 12V ~ 24V, প্রতিক্রিয়া সময়: 20ms, 30ms, সংযোগ পদ্ধতি: Terminal,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 7.874" (200mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, সংবেদনের দূরত্ব: 236.22" (6m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 15.748" (400mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 24V, প্রতিক্রিয়া সময়: 3.2ms, 5ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M18, 4POS,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 39.370" (1m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 500µs, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, সংবেদনের দূরত্ব: 196.850" (5m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 31.496" (800mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, সংবেদনের দূরত্ব: 255.906" (6.5m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Connector, M12,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 590.551" (15m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 3.5ms, 6.5ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 590.551" (15m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 3.5ms, 6.5ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, Diffuse, সংবেদনের দূরত্ব: 9.843" (250mm), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Through-Beam, সংবেদনের দূরত্ব: 787.4" (20m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 30V, প্রতিক্রিয়া সময়: 1ms, সংযোগ পদ্ধতি: Cable,
সেন্সিং পদ্ধতি: Retroreflective, Polarized, সংবেদনের দূরত্ব: 78.740" (2m), ভোল্টেজ সরবরাহ: 10V ~ 40V, প্রতিক্রিয়া সময়: 3.2ms, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN, সংযোগ পদ্ধতি: Connector,
