প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.5V ~ 5.5V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 64,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 20.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 3V ~ 3.6V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 256,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 2.5V, 3.3V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 1536, গেটের সংখ্যা: 144000,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 2.5V, 3.3V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 3072, গেটের সংখ্যা: 288000,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.75V ~ 5.25V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 256,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.75V ~ 5.25V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 64,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.75V ~ 5.25V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 32,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 12.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 3V ~ 3.6V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 192,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 15.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 3V ~ 3.6V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 128,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.75V ~ 5.25V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 128,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 8.5ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 3V ~ 3.6V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 32,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.5V ~ 5.5V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 128,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 20.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 3V ~ 3.6V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 192,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.5V ~ 5.5V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 64,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 10.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.75V ~ 5.25V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 192,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 15.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 2.5V, 3.3V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 1536, গেটের সংখ্যা: 144000,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 7.5ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 4.5V ~ 5.5V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 64,
প্রোগ্রামেবল টাইপ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, বিলম্ব সময় tpd (1) সর্বোচ্চ: 15.0ns, ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: 3V ~ 3.6V, ম্যাক্রোসেলের সংখ্যা: 512,
