Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক
DMN10H700S-7
Diodes Incorporated

DMN10H700S-7

পার্ট স্টক: 167763

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 700mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-7

পার্ট স্টক: 174928

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 270mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.2 Ohm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMT6008LFG-7
Diodes Incorporated

DMT6008LFG-7

পার্ট স্টক: 168252

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A (Ta), 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP25H18DLFDE-13
Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-13

পার্ট স্টক: 130078

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 260mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP45H150DHE-13
Diodes Incorporated

DMP45H150DHE-13

পার্ট স্টক: 156

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 450V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN53D0U-13
Diodes Incorporated

DMN53D0U-13

পার্ট স্টক: 151731

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 300mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMS3014SFG-7
Diodes Incorporated

DMS3014SFG-7

পার্ট স্টক: 112747

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.5A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 10.4A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP3007SFG-13
Diodes Incorporated

DMP3007SFG-13

পার্ট স্টক: 130106

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 70A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 11.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP2021UFDF-13
Diodes Incorporated

DMP2021UFDF-13

পার্ট স্টক: 193018

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN7022LFGQ-13
Diodes Incorporated

DMN7022LFGQ-13

পার্ট স্টক: 251

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 7.2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated

DMT3006LFG-13

পার্ট স্টক: 131903

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A (Ta), 55.6A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 12A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP2130LDM-7
Diodes Incorporated

DMP2130LDM-7

পার্ট স্টক: 154090

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP6185SE-13
Diodes Incorporated

DMP6185SE-13

পার্ট স্টক: 191164

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN2005UFG-13
Diodes Incorporated

DMN2005UFG-13

পার্ট স্টক: 179526

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 18.1A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP2005UFG-13
Diodes Incorporated

DMP2005UFG-13

পার্ট স্টক: 170890

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 89A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 mOhm @ 15A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN62D1LFD-13
Diodes Incorporated

DMN62D1LFD-13

পার্ট স্টক: 179581

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 400mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP4013LFG-7
Diodes Incorporated

DMP4013LFG-7

পার্ট স্টক: 199657

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP6250SE-13
Diodes Incorporated

DMP6250SE-13

পার্ট স্টক: 196422

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 1A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP3008SFG-13
Diodes Incorporated

DMP3008SFG-13

পার্ট স্টক: 168244

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.6A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN10H120SE-13
Diodes Incorporated

DMN10H120SE-13

পার্ট স্টক: 112364

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.6A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 110 mOhm @ 3.3A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN6069SE-13
Diodes Incorporated

DMN6069SE-13

পার্ট স্টক: 200

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.3A (Ta), 10A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 69 mOhm @ 3A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMS3012SFG-7
Diodes Incorporated

DMS3012SFG-7

পার্ট স্টক: 103458

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN7022LFG-13
Diodes Incorporated

DMN7022LFG-13

পার্ট স্টক: 165834

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.8A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 7.2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXMN6A08GQTA
Diodes Incorporated

ZXMN6A08GQTA

পার্ট স্টক: 190

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP1005UFDF-7
Diodes Incorporated

DMP1005UFDF-7

পার্ট স্টক: 200

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN4008LFG-13
Diodes Incorporated

DMN4008LFG-13

পার্ট স্টক: 158827

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14.4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3.3V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP6023LFG-13
Diodes Incorporated

DMP6023LFG-13

পার্ট স্টক: 199663

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.7A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMS3012SFG-13
Diodes Incorporated

DMS3012SFG-13

পার্ট স্টক: 116291

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP10H4D2S-13
Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-13

পার্ট স্টক: 114956

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 270mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.2 Ohm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMG301NU-7
Diodes Incorporated

DMG301NU-7

পার্ট স্টক: 164189

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 260mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.7V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN2011UFDE-13
Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-13

পার্ট স্টক: 174144

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11.7A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-7

পার্ট স্টক: 175306

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 550mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.7V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated

DMT8012LFG-13

পার্ট স্টক: 180404

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.5A (Ta), 35A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 12A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMP3026SFDE-7
Diodes Incorporated

DMP3026SFDE-7

পার্ট স্টক: 155338

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 4.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated

DMN3027LFG-13

পার্ট স্টক: 136104

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18.6 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DMN61D8L-7
Diodes Incorporated

DMN61D8L-7

পার্ট স্টক: 191753

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 470mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা