ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

DMC3025LNS-7

পার্ট স্টক: 178643

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMP3036SSD-13

পার্ট স্টক: 156076

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMN2008LFU-13

পার্ট স্টক: 196776

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

DMNH4026SSDQ-13

পার্ট স্টক: 107503

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMC2990UDJQ-7B

পার্ট স্টক: 199195

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA (Ta), 310mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMN16M9UCA6-7

পার্ট স্টক: 135

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

DMC2038LVTQ-7

পার্ট স্টক: 174791

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.8V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, 74 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMC6070LND-7

পার্ট স্টক: 115806

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.1A, 2.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMHC4035LSD-13

পার্ট স্টক: 190231

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMS3019SSD-13

পার্ট স্টক: 162279

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, 5.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

DMN2022UNS-7

পার্ট স্টক: 109123

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.7A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMN3016LDV-13

পার্ট স্টক: 145769

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMP4047SSD-13

পার্ট স্টক: 153243

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 4.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMP22D4UDA-7B

পার্ট স্টক: 125

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 328mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMTH6016LSDQ-13

পার্ট স্টক: 146385

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.6A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

DMC4029SSDQ-13

পার্ট স্টক: 181

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A (Ta), 6.5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMG4822SSDQ-13

পার্ট স্টক: 186

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 8.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ZXMD63N03XTA

পার্ট স্টক: 63691

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

DMG1026UVQ-7

পার্ট স্টক: 165393

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 440mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.8V @ 250µA,

DMG9926USD-13

পার্ট স্টক: 131794

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

DMC3025LDV-13

পার্ট স্টক: 182397

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-13

পার্ট স্টক: 110709

DMN13M9UCA6-7

পার্ট স্টক: 87

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

ZXMN2088DE6TA

পার্ট স্টক: 158779

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 200 mOhm @ 1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

DMC3025LDV-7

পার্ট স্টক: 189831

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

DMHC6070LSD-13

পার্ট স্টক: 158503

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.1A, 2.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMC3021LSDQ-13

পার্ট স্টক: 112926

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.5A, 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

DMC3028LSDX-13

পার্ট স্টক: 179812

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.5A, 5.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

ZXMN6A09DN8TA

পার্ট স্টক: 63423

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-7

পার্ট স্টক: 101082

DMG6968UTS-13

পার্ট স্টক: 187139

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

DMC3016LNS-7

পার্ট স্টক: 184096

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A (Ta), 6.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

DMC3016LSD-13

পার্ট স্টক: 127604

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.2A, 6.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.3V @ 250µA,

HTMN5130SSD-13

পার্ট স্টক: 82476

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMG9933USD-13

পার্ট স্টক: 177140

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

DMC3026LSD-13

পার্ট স্টক: 205

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.2A (Ta), 8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,