Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
1N4448-T
Diodes Incorporated

1N4448-T

পার্ট স্টক: 5171

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 75V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 150mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N4933GL-T
Diodes Incorporated

1N4933GL-T

পার্ট স্টক: 768

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N4007L-T
Diodes Incorporated

1N4007L-T

পার্ট স্টক: 749

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4006L-T
Diodes Incorporated

1N4006L-T

পার্ট স্টক: 812

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4006GL-T
Diodes Incorporated

1N4006GL-T

পার্ট স্টক: 5153

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4005GL-T
Diodes Incorporated

1N4005GL-T

পার্ট স্টক: 807

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4004L-T
Diodes Incorporated

1N4004L-T

পার্ট স্টক: 5101

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4003L-T
Diodes Incorporated

1N4003L-T

পার্ট স্টক: 769

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4004GL-T
Diodes Incorporated

1N4004GL-T

পার্ট স্টক: 781

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4003GL-T
Diodes Incorporated

1N4003GL-T

পার্ট স্টক: 728

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4002L-T
Diodes Incorporated

1N4002L-T

পার্ট স্টক: 739

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4002GL-T
Diodes Incorporated

1N4002GL-T

পার্ট স্টক: 814

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4001L-T
Diodes Incorporated

1N4001L-T

পার্ট স্টক: 742

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4001GL-T
Diodes Incorporated

1N4001GL-T

পার্ট স্টক: 774

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4448WSFQ-7
Diodes Incorporated

1N4448WSFQ-7

পার্ট স্টক: 108382

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 75V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 150mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N5819HW1-7-F
Diodes Incorporated

1N5819HW1-7-F

পার্ট স্টক: 160406

ডায়োড প্রকার: Super Barrier, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 510mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 15ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N5817-B
Diodes Incorporated

1N5817-B

পার্ট স্টক: 170310

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N5407G-T
Diodes Incorporated

1N5407G-T

পার্ট স্টক: 193247

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4937L
Diodes Incorporated

1N4937L

পার্ট স্টক: 185

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N5819HW-7
Diodes Incorporated

1N5819HW-7

পার্ট স্টক: 164

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4448W-7
Diodes Incorporated

1N4448W-7

পার্ট স্টক: 127

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 75V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 150mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N4448HWS-7
Diodes Incorporated

1N4448HWS-7

পার্ট স্টক: 124

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 150mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
10A01-T
Diodes Incorporated

10A01-T

পার্ট স্টক: 100001

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 10A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4448WS-7
Diodes Incorporated

1N4448WS-7

পার্ট স্টক: 10071

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 75V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 150mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N6263W-7
Diodes Incorporated

1N6263W-7

পার্ট স্টক: 5535

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N4148WS-7
Diodes Incorporated

1N4148WS-7

পার্ট স্টক: 10048

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 75V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 150mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 150mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N4148W-7
Diodes Incorporated

1N4148W-7

পার্ট স্টক: 10059

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 300mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 150mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N5821-T
Diodes Incorporated

1N5821-T

পার্ট স্টক: 9991

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N5822-T
Diodes Incorporated

1N5822-T

পার্ট স্টক: 9982

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 525mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4148-T
Diodes Incorporated

1N4148-T

পার্ট স্টক: 9928

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 75V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 150mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 10mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4ns,

ইচ্ছেতালিকা
1N5819M-13
Diodes Incorporated

1N5819M-13

পার্ট স্টক: 5003

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N5818M-13
Diodes Incorporated

1N5818M-13

পার্ট স্টক: 9971

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N5817M-13
Diodes Incorporated

1N5817M-13

পার্ট স্টক: 9904

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N5400-T
Diodes Incorporated

1N5400-T

পার্ট স্টক: 9932

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
1N4006G-T
Diodes Incorporated

1N4006G-T

পার্ট স্টক: 180260

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
1N4935-T
Diodes Incorporated

1N4935-T

পার্ট স্টক: 143560

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা