Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক
BCX5616TA
Diodes Incorporated

BCX5616TA

পার্ট স্টক: 100251

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
BC848C-7-F
Diodes Incorporated

BC848C-7-F

পার্ট স্টক: 142104

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 420 @ 2mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BC846BLP4-7B
Diodes Incorporated

BC846BLP4-7B

পার্ট স্টক: 148223

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 65V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BC846B-7-F
Diodes Incorporated

BC846B-7-F

পার্ট স্টক: 150985

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 65V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BC847BT-7-F
Diodes Incorporated

BC847BT-7-F

পার্ট স্টক: 120748

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FMMT38CTA
Diodes Incorporated

FMMT38CTA

পার্ট স্টক: 141855

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.25V @ 8mA, 800mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 5000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FMMT591QTA
Diodes Incorporated

FMMT591QTA

পার্ট স্টক: 160791

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 350mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FZT958TA
Diodes Incorporated

FZT958TA

পার্ট স্টক: 147968

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 240mV @ 300mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTN26020DMFTA
Diodes Incorporated

ZXTN26020DMFTA

পার্ট স্টক: 133091

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 290mV @ 40mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 290 @ 500mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
FZT657QTA
Diodes Incorporated

FZT657QTA

পার্ট স্টক: 164373

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DN0150BLP4-7B
Diodes Incorporated

DN0150BLP4-7B

পার্ট স্টক: 191653

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTN04120HKTC
Diodes Incorporated

ZXTN04120HKTC

পার্ট স্টক: 101513

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 120V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 1mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 2000 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTN25012EFLTA
Diodes Incorporated

ZXTN25012EFLTA

পার্ট স্টক: 191182

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 100mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 500 @ 10mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
FMMT415TD
Diodes Incorporated

FMMT415TD

পার্ট স্টক: 12024

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Avalanche Mode, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 25 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
ZX5T953GTA
Diodes Incorporated

ZX5T953GTA

পার্ট স্টক: 164385

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 340mV @ 400mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 20nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTN4240F-7
Diodes Incorporated

ZXTN4240F-7

পার্ট স্টক: 195

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 320mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 1A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
DXT3150-13
Diodes Incorporated

DXT3150-13

পার্ট স্টক: 148169

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 25V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 200mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 250 @ 500mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
FZT949TA
Diodes Incorporated

FZT949TA

পার্ট স্টক: 147935

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 440mV @ 500mA, 5.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
DN0150ALP4-7B
Diodes Incorporated

DN0150ALP4-7B

পার্ট স্টক: 173737

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 2mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
MMSTA13-7-F
Diodes Incorporated

MMSTA13-7-F

পার্ট স্টক: 150039

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FZT857TA
Diodes Incorporated

FZT857TA

পার্ট স্টক: 158530

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 345mV @ 600mA, 3.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
ZTX855STZ
Diodes Incorporated

ZTX855STZ

পার্ট স্টক: 153457

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 150V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 260mV @ 400mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DCX69-25-13
Diodes Incorporated

DCX69-25-13

পার্ট স্টক: 111667

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 500mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
FZT603TA
Diodes Incorporated

FZT603TA

পার্ট স্টক: 172281

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.13V @ 20mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 5000 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
ZTX968STZ
Diodes Incorporated

ZTX968STZ

পার্ট স্টক: 153402

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 200mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 500mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
ZTX603STZ
Diodes Incorporated

ZTX603STZ

পার্ট স্টক: 180833

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 1mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 2000 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTP2014ZTA
Diodes Incorporated

ZXTP2014ZTA

পার্ট স্টক: 180997

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 140V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 330mV @ 300mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 20nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated

DXTP03200BP5-13

পার্ট স্টক: 118341

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 200V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 275mV @ 400mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FMMTA92TA
Diodes Incorporated

FMMTA92TA

পার্ট স্টক: 131015

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 250nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 25 @ 30mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
FMMT491ATC
Diodes Incorporated

FMMT491ATC

পার্ট স্টক: 176466

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTP25140BFHQTA
Diodes Incorporated

ZXTP25140BFHQTA

পার্ট স্টক: 119986

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 140V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 260mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
FCX718TA
Diodes Incorporated

FCX718TA

পার্ট স্টক: 180939

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 200mA, 2.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 150 @ 2A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
DXT690BP5-13
Diodes Incorporated

DXT690BP5-13

পার্ট স্টক: 168129

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 350mV @ 150mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 20nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 150 @ 2A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
FMMTL619TA
Diodes Incorporated

FMMTL619TA

পার্ট স্টক: 195659

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.25A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 330mV @ 125mA, 1.25A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DSS5240TQ-7
Diodes Incorporated

DSS5240TQ-7

পার্ট স্টক: 158534

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 350mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 210 @ 1A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
ZXTP25100BFHTA
Diodes Incorporated

ZXTP25100BFHTA

পার্ট স্টক: 170543

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 295mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা