ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 2

EPC2203

পার্ট স্টক: 59185

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.7A, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2014C

পার্ট স্টক: 107624

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 10A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC8002

পার্ট স্টক: 49093

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 65V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 530 mOhm @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2037

পার্ট স্টক: 128582

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.7A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2040

পার্ট স্টক: 113264

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 15V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 1.5A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2039

পার্ট স্টক: 105727

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.8A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 6A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2016C

পার্ট স্টক: 65843

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 18A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 11A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2038

পার্ট স্টক: 148654

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.3 Ohm @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

EPC

EPC2036

পার্ট স্টক: 150786

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা