ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

বাড়ি
ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

IXFA56N30X3

পার্ট স্টক: 2036

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 56A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 28A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTP36N30P

পার্ট স্টক: 19021

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 36A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 110 mOhm @ 18A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTP130N10T

পার্ট স্টক: 23408

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 130A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFX98N50P3

পার্ট স্টক: 5217

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 98A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 50 mOhm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK300N20X3

পার্ট স্টক: 2844

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 300A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 mOhm @ 150A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTA96P085TTRL

পার্ট স্টক: 25402

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 85V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 96A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 48A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK24N100

পার্ট স্টক: 2856

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 24A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 390 mOhm @ 12A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFP14N85XM

পার্ট স্টক: 13767

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 850V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 7A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK110N07

পার্ট স্টক: 4949

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 70V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 110A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 55A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK44N80P

পার্ট স্টক: 4422

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 44A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 190 mOhm @ 22A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFH100N30X3

পার্ট স্টক: 2506

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFN44N50

পার্ট স্টক: 2994

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 44A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK140N30P

পার্ট স্টক: 4193

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 140A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 70A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTN200N10L2

পার্ট স্টক: 1898

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 178A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11 mOhm @ 100A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTK180N15P

পার্ট স্টক: 6086

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 150V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 180A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 90A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFH36N50P

পার্ট স্টক: 8743

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 36A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 170 mOhm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFP72N30X3M

পার্ট স্টক: 1605

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 72A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 36A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFT170N25X3HV

পার্ট স্টক: 4486

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 170A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.4 mOhm @ 85A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTA130N10T

পার্ট স্টক: 22429

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 130A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTX22N100L

পার্ট স্টক: 2078

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 22A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 600 mOhm @ 11A, 20V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFB70N60Q2

পার্ট স্টক: 2039

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 70A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 88 mOhm @ 35A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFH72N30X3

পার্ট স্টক: 2811

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 300V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 72A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 36A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFP34N65X2

পার্ট স্টক: 12589

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 34A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 17A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTH75N10L2

পার্ট স্টক: 5899

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 75A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTP44N10T

পার্ট স্টক: 44163

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 44A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 22A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTK8N150L

পার্ট স্টক: 2100

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 20V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.6 Ohm @ 4A, 20V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTT48P20P

পার্ট স্টক: 6401

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 48A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 24A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTH180N10T

পার্ট স্টক: 14844

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 180A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.4 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTP60N10T

পার্ট স্টক: 35262

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFH26N50

পার্ট স্টক: 6420

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 200 mOhm @ 13A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFP16N50P

পার্ট স্টক: 18644

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 400 mOhm @ 8A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK180N25T

পার্ট স্টক: 4752

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 180A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12.9 mOhm @ 60A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFK170N20T

পার্ট স্টক: 5578

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 170A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11 mOhm @ 60A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTH80N65X2

পার্ট স্টক: 4318

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 80A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXFN320N17T2

পার্ট স্টক: 1886

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 170V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 260A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.2 mOhm @ 60A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

IXTH6N100D2

পার্ট স্টক: 10597

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.2 Ohm @ 3A, 0V,

ইচ্ছেতালিকা

2148

«
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
»