ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

CPC3902ZTR

CPC3902ZTR

পার্ট স্টক: 131537

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

CPC3902CTR

CPC3902CTR

পার্ট স্টক: 108608

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

CPC3909ZTR

CPC3909ZTR

পার্ট স্টক: 173406

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 300mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

CPC3701CTR

CPC3701CTR

পার্ট স্টক: 110408

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

CPC3960ZTR

CPC3960ZTR

পার্ট স্টক: 127604

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

CPC3710CTR

CPC3710CTR

পার্ট স্টক: 180680

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

CPC3909CTR

CPC3909CTR

পার্ট স্টক: 173441

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 300mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

CPC3710C

CPC3710C

পার্ট স্টক: 1443

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

CPC3982TTR

CPC3982TTR

পার্ট স্টক: 126520

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

CPC3720C

CPC3720C

পার্ট স্টক: 1407

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 350V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

CPC3714C

CPC3714C

পার্ট স্টক: 1380

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 350V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

CPC3980ZTR

CPC3980ZTR

পার্ট স্টক: 198190

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

CPC3701C

CPC3701C

পার্ট স্টক: 1385

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

CPC3730C

CPC3730C

পার্ট স্টক: 6160

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 350V, ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

CPC5603CTR

CPC5603CTR

পার্ট স্টক: 67206

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 415V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): -0.35V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

CPC3703C

CPC3703C

পার্ট স্টক: 335

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 360mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

CPC3703CTR

CPC3703CTR

পার্ট স্টক: 103573

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 360mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

CPC5602CTR

CPC5602CTR

পার্ট স্টক: 127786

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 350V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): -0.35V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

CPC3708ZTR

CPC3708ZTR

পার্ট স্টক: 107138

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 350V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): -0.35V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

CPC3708CTR

CPC3708CTR

পার্ট স্টক: 185051

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 350V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): -0.35V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,