সংবেদনের দূরত্ব: 0.106" (2.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500µA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
সংবেদনের দূরত্ব: 0.205" (5.2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500µA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
সংবেদনের দূরত্ব: 0.591" (15mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
সংবেদনের দূরত্ব: 0.236" (6mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,
