সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, আউটপুট প্রকার: Photodiode,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, আউটপুট প্রকার: Photodiode,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Photodiode,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, আউটপুট প্রকার: Photodiode,
সংবেদনের দূরত্ব: 1.5mm, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,
