ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

LND150N8-G

LND150N8-G

পার্ট স্টক: 155053

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30mA (Tj), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

LND150K1-G

LND150K1-G

পার্ট স্টক: 187815

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13mA (Tj), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

TN2540N8-G

TN2540N8-G

পার্ট স্টক: 74252

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 260mA (Tj), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

TP2540N8-G

TP2540N8-G

পার্ট স্টক: 63450

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 125mA (Tj), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

DN2470K4-G

DN2470K4-G

পার্ট স্টক: 115852

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 700V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 170mA (Tj), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 42 Ohm @ 100mA, 0V,