Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

পার্ট স্টক: 3554

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.2V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30D100BCTG
Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

পার্ট স্টক: 9938

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT100S20LCTG
Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

পার্ট স্টক: 5486

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 120A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X61S20J
Microsemi Corporation

APT2X61S20J

পার্ট স্টক: 3006

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 75A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT60D60LCTG
Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

পার্ট স্টক: 6600

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X30D120J
Microsemi Corporation

APT2X30D120J

পার্ট স্টক: 2852

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.5V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

পার্ট স্টক: 2889

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.2V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

পার্ট স্টক: 2486

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 3V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X61D60J
Microsemi Corporation

APT2X61D60J

পার্ট স্টক: 3296

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

পার্ট স্টক: 16694

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30D100BHBG
Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

পার্ট স্টক: 9481

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.3V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT40DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

পার্ট স্টক: 14431

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 40A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X101D20J
Microsemi Corporation

APT2X101D20J

পার্ট স্টক: 2724

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT15DQ100BCTG
Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

পার্ট স্টক: 17077

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 3V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X61DC120J
Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

পার্ট স্টক: 553

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 60A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30D20BCAG
Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

পার্ট স্টক: 9782

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X101D60J
Microsemi Corporation

APT2X101D60J

পার্ট স্টক: 2721

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30D60BCTG
Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

পার্ট স্টক: 10815

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X101D40J
Microsemi Corporation

APT2X101D40J

পার্ট স্টক: 2756

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30DQ60BHBG
Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

পার্ট স্টক: 10044

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 30A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X31S20J
Microsemi Corporation

APT2X31S20J

পার্ট স্টক: 3575

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 45A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30D60BCAG
Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

পার্ট স্টক: 9826

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 27A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X61D100J
Microsemi Corporation

APT2X61D100J

পার্ট স্টক: 2817

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 55A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.5V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X61DC60J
Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

পার্ট স্টক: 1099

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 60A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X60DC60J
Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

পার্ট স্টক: 1122

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 60A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT30D60BHBG
Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

পার্ট স্টক: 9889

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 27A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X51DC60J
Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

পার্ট স্টক: 1272

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 50A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 50A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X41DC60J
Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

পার্ট স্টক: 1054

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 40A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X31DC60J
Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

পার্ট স্টক: 1723

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 30A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X30DC60J
Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

পার্ট স্টক: 1813

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 30A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X101S20J
Microsemi Corporation

APT2X101S20J

পার্ট স্টক: 2725

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 120A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT15DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

পার্ট স্টক: 20940

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X20DC60J
Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

পার্ট স্টক: 1426

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT60DQ60BCTG
Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

পার্ট স্টক: 11515

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X21DC120J
Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

পার্ট স্টক: 1510

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
APT2X60D30J
Microsemi Corporation

APT2X60D30J

পার্ট স্টক: 4471

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা