FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 175mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 500pA,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 20V,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 20V,
FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 90mA @ 18V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1nA,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 500pA,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 20V,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 500pA,
FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 1nA,
FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,
FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,