ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক, প্রাক-বায়া | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 9

PDTC144ET,215

পার্ট স্টক: 183240

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PBRP123ET,215

পার্ট স্টক: 127020

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 300mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD143XTR

পার্ট স্টক: 198969

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA114YUF

পার্ট স্টক: 172898

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC123EU,115

পার্ট স্টক: 196761

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA114ET,215

পার্ট স্টক: 132687

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA113EU,115

পার্ট স্টক: 167465

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 1 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 40mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC115ET,215

পার্ট স্টক: 136920

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 100 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 100 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA124ET,235

পার্ট স্টক: 123136

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC123JT,235

পার্ট স্টক: 198821

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC144EU,135

পার্ট স্টক: 151492

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC114YT,215

পার্ট স্টক: 128754

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PBRN113ET,215

পার্ট স্টক: 160686

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 1 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 300mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD143EUX

পার্ট স্টক: 191366

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA144TU,115

পার্ট স্টক: 158432

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA143ET,215

পার্ট স্টক: 173745

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD114EUX

পার্ট স্টক: 139283

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA113ZT,215

পার্ট স্টক: 132667

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC144WU,115

পার্ট স্টক: 102127

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC143TU,135

পার্ট স্টক: 136827

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC143ET,235

পার্ট স্টক: 197356

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTB143ETVL

পার্ট স্টক: 187833

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD113ZT,215

পার্ট স্টক: 188425

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA144EU,135

পার্ট স্টক: 151547

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD123YT,215

পার্ট স্টক: 109405

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC123TT,235

পার্ট স্টক: 134160

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTB123TT,215

পার্ট স্টক: 196869

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA113ZU,115

পার্ট স্টক: 173073

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC123TT,215

পার্ট স্টক: 137637

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA143XTVL

পার্ট স্টক: 118815

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTB143EUX

পার্ট স্টক: 193094

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA124XU,115

পার্ট স্টক: 138309

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTA143TT,215

পার্ট স্টক: 119582

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD113ZTVL

পার্ট স্টক: 102002

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTD113ZUX

পার্ট স্টক: 190677

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Nexperia USA Inc.

PDTC114YU,115

পার্ট স্টক: 148458

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা