Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায
PEMH13,115
Nexperia USA Inc.

PEMH13,115

পার্ট স্টক: 181198

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD48,125
Nexperia USA Inc.

PUMD48,125

পার্ট স্টক: 154082

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMB10,115
Nexperia USA Inc.

PUMB10,115

পার্ট স্টক: 159782

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PEMH15,115
Nexperia USA Inc.

PEMH15,115

পার্ট স্টক: 192225

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD30,115
Nexperia USA Inc.

PUMD30,115

পার্ট স্টক: 116876

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD2/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMD2/DG/B3,115

পার্ট স্টক: 1523

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMB16,115
Nexperia USA Inc.

PUMB16,115

পার্ট স্টক: 110356

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD10,135
Nexperia USA Inc.

PUMD10,135

পার্ট স্টক: 159290

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS4001Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS4001Y,115

পার্ট স্টক: 170779

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 40V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS2004D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2004D,115

পার্ট স্টক: 183424

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 20V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PEMD9,115
Nexperia USA Inc.

PEMD9,115

পার্ট স্টক: 150901

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD48,115
Nexperia USA Inc.

PUMD48,115

পার্ট স্টক: 144432

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS1504Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS1504Y,115

পার্ট স্টক: 174132

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 15V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD15,115
Nexperia USA Inc.

PUMD15,115

পার্ট স্টক: 136489

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD16,115
Nexperia USA Inc.

PUMD16,115

পার্ট স্টক: 167856

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS2001D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2001D,115

পার্ট স্টক: 161521

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 20V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMH2,115
Nexperia USA Inc.

PUMH2,115

পার্ট স্টক: 114659

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMB2F
Nexperia USA Inc.

PUMB2F

পার্ট স্টক: 100

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD12/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMD12/DG/B3,115

পার্ট স্টক: 1543

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PIMC31,115
Nexperia USA Inc.

PIMC31,115

পার্ট স্টক: 114489

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD14,115
Nexperia USA Inc.

PUMD14,115

পার্ট স্টক: 180106

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD3,135
Nexperia USA Inc.

PUMD3,135

পার্ট স্টক: 110995

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMD2/DG/B3,135
Nexperia USA Inc.

PUMD2/DG/B3,135

পার্ট স্টক: 3219

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS2002D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2002D,115

পার্ট স্টক: 108501

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 20V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS1501Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS1501Y,115

পার্ট স্টক: 169978

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 15V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMB11,135
Nexperia USA Inc.

PUMB11,135

পার্ট স্টক: 145610

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PRMD16Z
Nexperia USA Inc.

PRMD16Z

পার্ট স্টক: 105831

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMF12,115
Nexperia USA Inc.

PUMF12,115

পার্ট স্টক: 163853

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 40V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS6003D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS6003D,115

পার্ট স্টক: 184275

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 700mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 60V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PIMH9,115
Nexperia USA Inc.

PIMH9,115

পার্ট স্টক: 180289

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PBLS4003Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS4003Y,115

পার্ট স্টক: 189757

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 40V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMH17,115
Nexperia USA Inc.

PUMH17,115

পার্ট স্টক: 144227

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PRMD2Z
Nexperia USA Inc.

PRMD2Z

পার্ট স্টক: 141383

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PEMD3,115
Nexperia USA Inc.

PEMD3,115

পার্ট স্টক: 108727

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PUMH2/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.

PUMH2/DG/B3,115

পার্ট স্টক: 3195

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PEMH11,115
Nexperia USA Inc.

PEMH11,115

পার্ট স্টক: 199221

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা