ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 18A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.5GHz ~ 2.7GHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 29A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 800MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 5V, বর্তমান রেরতিং: 40mA, শব্দ শব্দ: 2dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 200MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 5V, বর্তমান রেরতিং: 30mA, শব্দ শব্দ: 1dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 200MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 8V, বর্তমান রেরতিং: 40mA, শব্দ শব্দ: 0.6dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 30mA, শব্দ শব্দ: 1.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 15V, বর্তমান রেরতিং: 6.5mA, শব্দ শব্দ: 1.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, বর্তমান রেরতিং: 10mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 800MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 5V, বর্তমান রেরতিং: 30mA, শব্দ শব্দ: 1.7dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.8GHz ~ 1.88GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz ~ 2.2GHz, লাভ করা: 17.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.8GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 5µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 871.5MHz, লাভ করা: 20.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 49A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 894MHz, লাভ করা: 19.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 15A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 15V, বর্তমান রেরতিং: 25mA, শব্দ শব্দ: 1.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 15V, বর্তমান রেরতিং: 15mA, শব্দ শব্দ: 1.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 15A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 13.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 14.6dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 15A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 920MHz ~ 960MHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 12A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, বর্তমান রেরতিং: 15mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 400MHz, লাভ করা: 27dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 5V, বর্তমান রেরতিং: 30mA, শব্দ শব্দ: 1dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel Dual Gate, ফ্রিকোয়েন্সি: 400MHz, লাভ করা: 29dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 5V, বর্তমান রেরতিং: 30mA, শব্দ শব্দ: 0.9dB,
