Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

অপটিকাল সেন্সর - ফোটোইনটার্প্টারস - স্লট প্রকার -

  • বাড়ি
  •  
  • অপটিকাল সেন্সর - ফোটোইনটার্প্টারস - স্লট প্রকার -
EE-SX1115
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1115

পার্ট স্টক: 23494

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SA105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA105

পার্ট স্টক: 10410

সেন্সিং পদ্ধতি: Actuator, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1350
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1350

পার্ট স্টক: 54189

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX198
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX198

পার্ট স্টক: 23602

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SV3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3

পার্ট স্টক: 10017

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX129
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX129

পার্ট স্টক: 14862

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1041
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1041

পার্ট স্টক: 26774

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1105

পার্ট স্টক: 36692

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1061
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1061

পার্ট স্টক: 34477

সংবেদনের দূরত্ব: 0.142" (3.6mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1070
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1070

পার্ট স্টক: 22419

সংবেদনের দূরত্ব: 0.315" (8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1071
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1071

পার্ট স্টক: 24563

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SA104
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA104

পার্ট স্টক: 21185

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1031
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1031

পার্ট স্টক: 9457

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: 2 NPN, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1137
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1137

পার্ট স্টক: 26619

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SA103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA103

পার্ট স্টক: 46470

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SV3-DS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-DS

পার্ট স্টক: 9640

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1160-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1160-W11

পার্ট স্টক: 5407

সংবেদনের দূরত্ব: 0.374" (9.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1088-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088-W11

পার্ট স্টক: 5667

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1018
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1018

পার্ট স্টক: 20635

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SG3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SG3

পার্ট স্টক: 13113

সংবেদনের দূরত্ব: 0.142" (3.6mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1025
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1025

পার্ট স্টক: 19938

সংবেদনের দূরত্ব: 0.110" (2.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1046
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1046

পার্ট স্টক: 16742

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1106
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1106

পার্ট স্টক: 36662

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1161-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1161-W11

পার্ট স্টক: 5717

সংবেদনের দূরত্ব: 0.126" (3.2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1055
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1055

পার্ট স্টক: 23952

সংবেদনের দূরত্ব: 0.110" (2.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SH3-GS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-GS

পার্ট স্টক: 15860

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SV3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-B

পার্ট স্টক: 11328

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX153
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX153

পার্ট স্টক: 14873

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SH3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-B

পার্ট স্টক: 15230

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1340
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1340

পার্ট স্টক: 64711

সংবেদনের দূরত্ব: 0.157" (4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SH3-C
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-C

পার্ট স্টক: 10574

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1320
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1320

পার্ট স্টক: 126846

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 5mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1035
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1035

পার্ট স্টক: 18256

সংবেদনের দূরত্ব: 0.205" (5.2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1321
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1321

পার্ট স্টক: 82172

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 25mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SJ3-D
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ3-D

পার্ট স্টক: 10598

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
EE-SX1103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1103

পার্ট স্টক: 36621

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা