Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

পার্ট স্টক: 106381

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

পার্ট স্টক: 184838

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

পার্ট স্টক: 197856

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

পার্ট স্টক: 194293

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5113DW1T1G

পার্ট স্টক: 148914

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1G

পার্ট স্টক: 131393

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

NSVEMC2DXV5T1G

পার্ট স্টক: 130286

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV6T1G

পার্ট স্টক: 182892

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114TDP6T5G

পার্ট স্টক: 112312

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5235DW1T1G

পার্ট স্টক: 108992

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114YDXV6T1G

পার্ট স্টক: 169568

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5332DW1T1G

পার্ট স্টক: 104439

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 15 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T3G

পার্ট স্টক: 123032

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T5G

পার্ট স্টক: 155754

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5213DW1T1G

পার্ট স্টক: 151695

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

পার্ট স্টক: 156563

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

পার্ট স্টক: 168274

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

পার্ট স্টক: 116755

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

পার্ট স্টক: 134631

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

পার্ট স্টক: 103833

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

পার্ট স্টক: 184027

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

পার্ট স্টক: 125769

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

পার্ট স্টক: 126783

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5216DW1T1G

পার্ট স্টক: 155827

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

SSVMUN5312DW1T2G

পার্ট স্টক: 122645

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5137DW1T1G

পার্ট স্টক: 139504

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5133DW1T1G

পার্ট স্টক: 198374

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143TPDXV6T1G

পার্ট স্টক: 138721

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5112DW1T1G

পার্ট স্টক: 126017

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T3G

পার্ট স্টক: 191285

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5213DW1T3G

পার্ট স্টক: 119417

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114YDXV6T1G

পার্ট স্টক: 174121

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114YDXV6T1G

পার্ট স্টক: 192965

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBA114EDXV6T1G

পার্ট স্টক: 195403

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T5G

পার্ট স্টক: 170353

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
NSBC144EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EPDP6T5G

পার্ট স্টক: 141890

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা