ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

2SK3480-AZ

পার্ট স্টক: 27738

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 50A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 31 mOhm @ 25A, 10V,

2SK1317-E

পার্ট স্টক: 12240

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.5A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 15V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 Ohm @ 2A, 15V,

2SJ649-AZ

পার্ট স্টক: 38398

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 48 mOhm @ 10A, 10V,

2SK3482-AZ

পার্ট স্টক: 39454

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 36A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 33 mOhm @ 18A, 10V,

2SK3484-AZ

পার্ট স্টক: 57231

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 125 mOhm @ 8A, 10V,

2SK1835-E

পার্ট স্টক: 8930

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 15V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 Ohm @ 2A, 15V,

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

পার্ট স্টক: 2431

2SK3902(0)-ZK-E1-AY

পার্ট স্টক: 2436

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2376

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2410

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2381

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2411

2SK3813-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2410

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2432

2SK3755-AZ

পার্ট স্টক: 2464

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2426

2SK3483(0)-Z-E1-AY

পার্ট স্টক: 2373

2SK3430(02)-S6-AZ

পার্ট স্টক: 2429

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2448

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2405

2SK3377-Z-E2-AZ

পার্ট স্টক: 2421

2SK3377-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2392

2SK3377(0)-Z-E2-AZ

পার্ট স্টক: 2444

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2402

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2401

2SK3353-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2397

2SJ648-T1-A

পার্ট স্টক: 2396

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 6328

2SJ600-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 5671

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2425

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

পার্ট স্টক: 2448

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

পার্ট স্টক: 2428

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2398

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 2439

2SK3431-Z-E1-AZ

পার্ট স্টক: 1978

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 83A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3431-AZ

পার্ট স্টক: 1997

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 83A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,