ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - একক

বাড়ি
ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - একক

Rohm Semiconductor

RGW60TS65DGC11

পার্ট স্টক: 180

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 178W,

ইচ্ছেতালিকা

RGW00TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW00TK65DGVC11

পার্ট স্টক: 112

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 89W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGT16NS65DGTL

পার্ট স্টক: 95483

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 16A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 24A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 8A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 94W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTH40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

পার্ট স্টক: 25319

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 80A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 20A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 144W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

পার্ট স্টক: 14392

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 85A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 277W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

পার্ট স্টক: 77

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 430V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.0V @ 5V, 10A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 125W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

পার্ট স্টক: 110

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 33A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 72W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

পার্ট স্টক: 164

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 33A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 76W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

পার্ট স্টক: 130635

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 12A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 4A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 65W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW00TK65GVC11

পার্ট স্টক: 159

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 89W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTH80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

পার্ট স্টক: 18067

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 234W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGPR20NS43HRTL

পার্ট স্টক: 99

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 460V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.0V @ 5V, 10A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 107W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGT8BM65DTL

পার্ট স্টক: 142805

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 12A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 4A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 62W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW80TK65GVC11

পার্ট স্টক: 118

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 39A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 81W,

ইচ্ছেতালিকা

RGS00TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGS00TS65DHRC11

পার্ট স্টক: 112

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 88A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 150A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 326W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW00TS65GC11

পার্ট স্টক: 2946

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 96A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 254W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

পার্ট স্টক: 1596

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 234W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

পার্ট স্টক: 17733

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 85A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 277W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

পার্ট স্টক: 23036

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 174W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

পার্ট স্টক: 2933

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 94W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

পার্ট স্টক: 25308

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 60A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 20A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 144W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

পার্ট স্টক: 2921

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 95A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 276W,

ইচ্ছেতালিকা

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

পার্ট স্টক: 2956

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 33A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 72W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

পার্ট স্টক: 2908

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 33A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 76W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

পার্ট স্টক: 2780

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 194W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

পার্ট স্টক: 30024

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 80A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 20A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 144W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

পার্ট স্টক: 2662

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 96A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 200A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 254W,

ইচ্ছেতালিকা

RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

পার্ট স্টক: 2907

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 39A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 81W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

পার্ট স্টক: 17933

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 234W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

পার্ট স্টক: 2967

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 144A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 320A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 80A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 404W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

পার্ট স্টক: 20954

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 100A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 174W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGT00TS65DGC11

পার্ট স্টক: 2750

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 85A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 150A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 277W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

পার্ট স্টক: 22572

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 58A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 197W,

ইচ্ছেতালিকা

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

পার্ট স্টক: 22133

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 58A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 194W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

পার্ট স্টক: 2917

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 78A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 160A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 214W,

ইচ্ছেতালিকা

Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

পার্ট স্টক: 2827

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 650V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 60A, কারেন্ট - সংগ্রাহক পালসড (আইসিএম): 120A, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 178W,

ইচ্ছেতালিকা

47

«
1
2
»