অপটিকাল সেন্সর - প্রতিফলিত - এনালগ আউটপুট

বাড়ি
অপটিকাল সেন্সর - প্রতিফলিত - এনালগ আউটপুট

Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

পার্ট স্টক: 4316

সংবেদনের দূরত্ব: 0.138" (3.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S27T

পার্ট স্টক: 2691

সংবেদনের দূরত্ব: 0.031" (0.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L20R

পার্ট স্টক: 2748

সংবেদনের দূরত্ব: 0.512" (13mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

পার্ট স্টক: 4326

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

পার্ট স্টক: 2712

সংবেদনের দূরত্ব: 0.138" (3.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

পার্ট স্টক: 2712

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L26

পার্ট স্টক: 2756

সংবেদনের দূরত্ব: 0.031" (0.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

পার্ট স্টক: 2737

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

পার্ট স্টক: 4345

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L24

পার্ট স্টক: 4363

সংবেদনের দূরত্ব: 0.031" (0.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S24ABJ00F

পার্ট স্টক: 2735

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L24J0000F

পার্ট স্টক: 2726

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S27T6J00F

পার্ট স্টক: 2679

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S27TJ000F

পার্ট স্টক: 2724

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S24CJ000F

পার্ট স্টক: 2724

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S60A

পার্ট স্টক: 2778

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S27T3J00F

পার্ট স্টক: 2727

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S24

পার্ট স্টক: 4283

সংবেদনের দূরত্ব: 0.031" (0.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L24BCJ00F

পার্ট স্টক: 2763

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L24BJ00F

পার্ট স্টক: 2769

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S28

পার্ট স্টক: 2729

সংবেদনের দূরত্ব: 0.551" (14mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2L24CJ00F

পার্ট স্টক: 2708

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S24BJ000F

পার্ট স্টক: 2701

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

Sharp Microelectronics

GP2S40

পার্ট স্টক: 2756

সংবেদনের দূরত্ব: 0.256" (6.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ইচ্ছেতালিকা

24