প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 5.12MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 49.152MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 48MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 45MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 44MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 42.5MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 4.9152MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 40MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 4.096MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 38.4MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 4MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 36.864MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 37.5MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 36MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 40MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 19.2MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 40MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 24.576MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 19.2MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 26MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: MEMS, ফ্রিকোয়েন্সি: XO (Standard), ফাংশন: 35MHz, আউটপুট: Standby (Power Down), ভোল্টেজ সরবরাহ: CMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 1.71V ~ 3.63V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 16.384MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 24.576MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 19.44MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 24.576MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 20MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 19.44MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 16.384MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 26MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 19.44MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 25MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 40MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 25MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 20MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: Clipped Sine Wave, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: TCXO, ফাংশন: 26MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
প্রকার: Crystal, ফ্রিকোয়েন্সি: VCTCXO, ফাংশন: 19.2MHz, ভোল্টেজ সরবরাহ: LVCMOS, ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব: 3.3V,
