ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

STS5DNF60L

পার্ট স্টক: 107885

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STL8DN10LF3

পার্ট স্টক: 83671

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

STS8DN3LLH5

পার্ট স্টক: 113246

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

STL7DN6LF3

পার্ট স্টক: 117469

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 43 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

STL8DN6LF3

পার্ট স্টক: 96103

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

STL40DN3LLH5

পার্ট স্টক: 125168

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 5.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

STS4DPF20L

পার্ট স্টক: 3125

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STL20DN10F7

পার্ট স্টক: 63556

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 67 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 250µA,

STL15DN4F5

পার্ট স্টক: 56764

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 60A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

STL13DP10F6

পার্ট স্টক: 109384

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 180 mOhm @ 1.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

STS10DN3LH5

পার্ট স্টক: 127146

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

STS5DPF20L

পার্ট স্টক: 89710

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STL20DNF06LAG

পার্ট স্টক: 155965

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STL66DN3LLH5

পার্ট স্টক: 78965

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 78.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

STS4DNF60L

পার্ট স্টক: 93425

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STS5DP3LLH6

পার্ট স্টক: 158516

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 56 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STS8C5H30L

পার্ট স্টক: 97728

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, 5.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

STS8DN6LF6AG

পার্ট স্টক: 132133

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STL36DN6F7

পার্ট স্টক: 192116

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 33A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 4.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

STL65DN3LLH5

পার্ট স্টক: 88941

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 65A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.5 mOhm @ 9.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

STS2DNF30L

পার্ট স্টক: 198813

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 110 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

STL40C30H3LL

পার্ট স্টক: 125159

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A, 30A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

STL50DN6F7

পার্ট স্টক: 167699

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 57A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

STS3DNE60L

পার্ট স্টক: 2665

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

STS5DNF20V

পার্ট স্টক: 2698

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 600mV @ 250µA,

STS1DN45K3

পার্ট স্টক: 2689

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 450V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 50µA,

STC5NF20V

পার্ট স্টক: 3322

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 600mV @ 250µA,

STS2DPF80

পার্ট স্টক: 2631

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

STS3C2F100

পার্ট স্টক: 2685

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 145 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

STL60N32N3LL

পার্ট স্টক: 2652

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 32A, 60A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1µA,

STS1DNF20

পার্ট স্টক: 3271

STS4DNF60

পার্ট স্টক: 2663

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

STS9D8NH3LL

পার্ট স্টক: 104832

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, 9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

STS4C3F60L

পার্ট স্টক: 2668

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

STC6NF30V

পার্ট স্টক: 2911

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 600mV @ 250µA,

STS7C4F30L

পার্ট স্টক: 2694

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,