Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
MUR4L20HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20HA0G

পার্ট স্টক: 132

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 890mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
SR206 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR206 R0G

পার্ট স্টক: 178

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
ES1FL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL RVG

পার্ট স্টক: 146

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 35ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS13L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13L R3G

পার্ট স্টক: 126

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS26L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26L RVG

পার্ট স্টক: 101

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR202 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR202 R0G

পার্ট স্টক: 98

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UF5JFC C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF5JFC C0G

পার্ট স্টক: 176

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.8V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
RSFGLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGLHR3G

পার্ট স্টক: 103

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS310LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310LHR3G

পার্ট স্টক: 102

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
RSFDL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDL RUG

পার্ট স্টক: 167

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
LL4003G L0
Taiwan Semiconductor Corporation

LL4003G L0

পার্ট স্টক: 129

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML RUG

পার্ট স্টক: 135

ডায়োড প্রকার: Standard, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.8µs,

ইচ্ছেতালিকা
S1MLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHM2G

পার্ট স্টক: 99

ডায়োড প্রকার: Standard, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.8µs,

ইচ্ছেতালিকা
UG2D B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2D B0G

পার্ট স্টক: 174

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS310L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310L R3G

পার্ট স্টক: 154

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S1KLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KLHR3G

পার্ট স্টক: 100

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.8µs,

ইচ্ছেতালিকা
SS14L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L RFG

পার্ট স্টক: 103

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS25LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25LHR3G

পার্ট স্টক: 175

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS210LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHRUG

পার্ট স্টক: 182

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
ES1AL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RVG

পার্ট স্টক: 136

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 35ns,

ইচ্ছেতালিকা
RSFDLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHR3G

পার্ট স্টক: 126

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
SR203 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR203 R0G

পার্ট স্টক: 93

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
RS1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BLHR3G

পার্ট স্টক: 145

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 800mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 800mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
HS1FL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1FL R3G

পার্ট স্টক: 108

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS15L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L RUG

পার্ট স্টক: 186

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS36L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L RVG

পার্ট স্টক: 91

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UG54G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG54G B0G

পার্ট স্টক: 154

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.05V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 20ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS16LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHR3G

পার্ট স্টক: 93

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UG2DHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2DHA0G

পার্ট স্টক: 116

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS19L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19L R3G

পার্ট স্টক: 123

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 800mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S1JLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLHRVG

পার্ট স্টক: 159

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.8µs,

ইচ্ছেতালিকা
HS1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL R3G

পার্ট স্টক: 99

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
S1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHM2G

পার্ট স্টক: 141

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.8µs,

ইচ্ছেতালিকা
RS1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL RUG

পার্ট স্টক: 119

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 800mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 800mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS15L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L RVG

পার্ট স্টক: 93

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS115L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115L R3G

পার্ট স্টক: 162

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা