ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

বাড়ি
ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক

Texas Instruments

CSD25401Q3

পার্ট স্টক: 667

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Ta), 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.7 mOhm @ 10A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD22206WT

পার্ট স্টক: 123191

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 8V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD19506KCS

পার্ট স্টক: 14126

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD23201W10

পার্ট স্টক: 723

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.2A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 82 mOhm @ 500mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD19535KCS

পার্ট স্টক: 21309

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 150A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.6 mOhm @ 100A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD18535KTTT

পার্ট স্টক: 24381

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200A (Ta), 279A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 mOhm @ 100A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD23203WT

পার্ট স্টক: 199555

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 8V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD19503KCS

পার্ট স্টক: 41236

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.2 mOhm @ 60A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD18532Q5BT

পার্ট স্টক: 40213

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD18531Q5AT

পার্ট স্টক: 55771

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17559Q5

পার্ট স্টক: 59831

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD16414Q5

পার্ট স্টক: 79433

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 34A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD25485F5T

পার্ট স্টক: 17362

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 900mA, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD19538Q3A

পার্ট স্টক: 137241

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 59 mOhm @ 5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD18534KCS

পার্ট স্টক: 47342

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 45A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.5 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD16401Q5

পার্ট স্টক: 67501

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 38A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17301Q5A

পার্ট স্টক: 101004

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 28A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.6 mOhm @ 25A, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17552Q3A

পার্ট স্টক: 186191

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Ta), 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17522Q5A

পার্ট স্টক: 146931

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 87A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.1 mOhm @ 14A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17581Q3A

পার্ট স্টক: 198233

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 mOhm @ 16A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17577Q5A

পার্ট স্টক: 147774

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 60A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17553Q5A

পার্ট স্টক: 124018

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23.5A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17578Q5AT

পার্ট স্টক: 133644

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 25A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17585F5

পার্ট স্টক: 192824

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.9A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 900mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD18504Q5AT

পার্ট স্টক: 100924

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 50A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD22204WT

পার্ট স্টক: 179951

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 8V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD19538Q2T

পার্ট স্টক: 164208

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13.1A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 59 mOhm @ 5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD13385F5

পার্ট স্টক: 112440

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 900mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD23382F4T

পার্ট স্টক: 164186

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.5A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.8V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17313Q2Q1

পার্ট স্টক: 147202

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 4A, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17571Q2

পার্ট স্টক: 172113

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 22A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 5A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD16325Q5C

পার্ট স্টক: 73079

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 33A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 mOhm @ 30A, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD16323Q3C

পার্ট স্টক: 145322

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Ta), 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17306Q5A

পার্ট স্টক: 132830

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 24A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.7 mOhm @ 22A, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD17507Q5A

পার্ট স্টক: 69833

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A (Ta), 65A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Texas Instruments

CSD16325Q5

পার্ট স্টক: 80364

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 33A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 3V, 8V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 mOhm @ 30A, 8V,

ইচ্ছেতালিকা

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»