Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - আরএফ

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - আরএফ
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

পার্ট স্টক: 144

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB @ 1GHz, লাভ করা: 13dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 170

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB @ 1GHz, লাভ করা: 11dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 171976

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 550MHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, লাভ করা: 17dB ~ 23dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

পার্ট স্টক: 111075

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 128600

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB @ 1GHz, লাভ করা: 11dB ~ 16.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

পার্ট স্টক: 121034

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 190

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 170

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 187

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 10V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 10GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.8dB @ 2GHz, লাভ করা: 13dB ~ 7dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

পার্ট স্টক: 173074

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 128

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 10V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 10GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.8dB @ 2GHz, লাভ করা: 13dB ~ 7.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

পার্ট স্টক: 124837

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 550MHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, লাভ করা: 17dB ~ 23dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

পার্ট স্টক: 152602

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB @ 1GHz, লাভ করা: 11dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 162523

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

পার্ট স্টক: 133840

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 132303

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 550MHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 2.5dB @ 100MHz, লাভ করা: 23dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 156257

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 8GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, শক্তি - সর্বোচ্চ: 150mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 190913

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB @ 1GHz, লাভ করা: 12dB ~ 17dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 167393

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 550MHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 2.5dB @ 100MHz, লাভ করা: 23dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 7295

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1dB @ 500MHz, লাভ করা: 18dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

পার্ট স্টক: 4783

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 10V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 6GHz, লাভ করা: 11dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

পার্ট স্টক: 7101

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 550MHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, লাভ করা: 17dB ~ 23dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

পার্ট স্টক: 7064

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 10V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 10GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.4dB @ 1GHz, লাভ করা: 1.4dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 160292

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 550MHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 5dB @ 100MHz, লাভ করা: 23dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 91

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 6V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 11.5GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.2dB @ 1GHz, লাভ করা: 12dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 700mW,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

পার্ট স্টক: 18982

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 6V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 8GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.25dB @ 1GHz, লাভ করা: 10.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1W,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

পার্ট স্টক: 4314

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 5.3V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7.7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.45dB @ 1GHz, লাভ করা: 10.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1.6W,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 9921

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 5.3V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 12.5GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.45dB @ 1GHz, লাভ করা: 11.8dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 800mW,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

পার্ট স্টক: 4313

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.45dB @ 1GHz, লাভ করা: 16.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1.8W,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

পার্ট স্টক: 135

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.45dB @ 20mA, 5V, লাভ করা: 12dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 900mW,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

পার্ট স্টক: 9992

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 5.3V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 11.2GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.45dB @ 1GHz, লাভ করা: 12.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 900mW,

ইচ্ছেতালিকা
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 176440

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 5V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 4GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 2.4dB @ 1GHz, লাভ করা: 4.5dBi, শক্তি - সর্বোচ্চ: 100mW,

ইচ্ছেতালিকা
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

পার্ট স্টক: 7065

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ফ্রিকোয়েন্সি - স্থানান্তর: 7GHz, নয়েজ ফিগার (ডিবি টাইপ @ চ): 1.1dB @ 1GHz, লাভ করা: 11.5dB, শক্তি - সর্বোচ্চ: 200mW,

ইচ্ছেতালিকা