অপটিকাল সেন্সর - ফোটোইনটার্প্টারস - স্লট প্রকার -

OPB880T51Z

OPB880T51Z

পার্ট স্টক: 19265

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB390T51Z

OPB390T51Z

পার্ট স্টক: 17988

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB370N11

OPB370N11

পার্ট স্টক: 33627

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB420BZ

OPB420BZ

পার্ট স্টক: 16131

সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V,

OPB885Z

OPB885Z

পার্ট স্টক: 10869

সংবেদনের দূরত্ব: 0.374" (9.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB821S3Z

OPB821S3Z

পার্ট স্টক: 16968

সংবেদনের দূরত্ব: 0.080" (2.03mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB360N51

OPB360N51

পার্ট স্টক: 36872

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB390L55Z

OPB390L55Z

পার্ট স্টক: 17963

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB315L

OPB315L

পার্ট স্টক: 17760

সংবেদনের দূরত্ব: 0.900" (22.86mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB826S

OPB826S

পার্ট স্টক: 11879

সংবেদনের দূরত্ব: 0.090" (2.29mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: 2 NPN, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB890T11Z

OPB890T11Z

পার্ট স্টক: 17253

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB892T55Z

OPB892T55Z

পার্ট স্টক: 20989

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB821TX

OPB821TX

পার্ট স্টক: 354

সংবেদনের দূরত্ব: 0.080" (2.03mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB315WZ

OPB315WZ

পার্ট স্টক: 13075

সংবেদনের দূরত্ব: 0.900" (22.86mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB871T55

OPB871T55

পার্ট স্টক: 37814

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB350

OPB350

পার্ট স্টক: 16851

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Liquid, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB365T55

OPB365T55

পার্ট স্টক: 28731

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB890T55Z

OPB890T55Z

পার্ট স্টক: 21145

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB832W55Z

OPB832W55Z

পার্ট স্টক: 18901

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB820S10

OPB820S10

পার্ট স্টক: 26448

সংবেদনের দূরত্ব: 0.080" (2.03mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPS667

OPS667

পার্ট স্টক: 61604

সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB847TX

OPB847TX

পার্ট স্টক: 316

সংবেদনের দূরত্ব: 0.100" (2.54mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB350C125Z

OPB350C125Z

পার্ট স্টক: 11380

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Liquid, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB380N11Z

OPB380N11Z

পার্ট স্টক: 18682

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB882T51Z

OPB882T51Z

পার্ট স্টক: 19541

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB840W11Z

OPB840W11Z

পার্ট স্টক: 14420

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB690Z

OPB690Z

পার্ট স্টক: 19972

সেন্সিং পদ্ধতি: Optical Flag, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, Base-Emitter Resistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB800W55Z

OPB800W55Z

পার্ট স্টক: 19867

সংবেদনের দূরত্ব: 0.375" (9.53mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB801L55

OPB801L55

পার্ট স্টক: 33176

সংবেদনের দূরত্ব: 0.375" (9.53mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB660N

OPB660N

পার্ট স্টক: 34404

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, Base-Emitter Resistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V,

OPB880T55Z

OPB880T55Z

পার্ট স্টক: 19594

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB350W062Z

OPB350W062Z

পার্ট স্টক: 11446

সংবেদনের দূরত্ব: 0.063" (1.6mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Liquid, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB880L51Z

OPB880L51Z

পার্ট স্টক: 19276

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB871N51

OPB871N51

পার্ট স্টক: 35386

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPS693

OPS693

পার্ট স্টক: 55538

সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB828D

OPB828D

পার্ট স্টক: 35068

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,