তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1.8V, ক্যাপাসিট্যান্স: 100pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.1V (Max), কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 840nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.09V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1.8V, ক্যাপাসিট্যান্স: 55pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 35nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.8V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 1.8V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1V,
