অপটিকাল সেন্সর - প্রতিফলিত - এনালগ আউটপুট

OPR5005

OPR5005

পার্ট স্টক: 21984

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB744WZ

OPB744WZ

পার্ট স্টক: 18838

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB608R

OPB608R

পার্ট স্টক: 47308

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB746WZ

OPB746WZ

পার্ট স্টক: 4366

সংবেদনের দূরত্ব: 0.300" (7.62mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB704

OPB704

পার্ট স্টক: 30593

সংবেদনের দূরত্ব: 0.149" (3.8mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB70DWZ

OPB70DWZ

পার্ট স্টক: 16552

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Transistor,

OPB607C

OPB607C

পার্ট স্টক: 65767

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 125mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

OPB730F

OPB730F

পার্ট স্টক: 9297

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

OPB705WZ

OPB705WZ

পার্ট স্টক: 21773

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB732W

OPB732W

পার্ট স্টক: 2761

সংবেদনের দূরত্ব: 3" (76.2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB606B

OPB606B

পার্ট স্টক: 71504

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB609GU

OPB609GU

পার্ট স্টক: 2766

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB742WZ

OPB742WZ

পার্ট স্টক: 21355

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB741

OPB741

পার্ট স্টক: 31506

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB744

OPB744

পার্ট স্টক: 27479

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB700ALZ

OPB700ALZ

পার্ট স্টক: 8398

সংবেদনের দূরত্ব: 0.200" (5.08mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB755T

OPB755T

পার্ট স্টক: 2758

সংবেদনের দূরত্ব: 0.220" (5.59mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB710

OPB710

পার্ট স্টক: 9045

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,