ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 100

SQM120N10-3M8_GE3

পার্ট স্টক: 38953

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SI7414DN-T1-GE3

পার্ট স্টক: 128182

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.6A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 8.7A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQ3456BEV-T1_GE3

পার্ট স্টক: 180919

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.8A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 6A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQM40014EM_GE3

পার্ট স্টক: 8185

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1 mOhm @ 35A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SI4463BDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 124207

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.8A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11 mOhm @ 13.7A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHP23N60E-GE3

পার্ট স্টক: 40977

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 158 mOhm @ 12A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQJ488EP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 102542

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 42A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 7.4A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SI7478DP-T1-GE3

পার্ট স্টক: 72362

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQP120N10-3M8_GE3

পার্ট স্টক: 8429

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIE812DF-T1-GE3

পার্ট স্টক: 40462

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SUM110P06-07L-E3

পার্ট স্টক: 43657

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 110A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.9 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SUM110P08-11L-E3

পার্ট স্টক: 26593

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 110A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.2 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQM85N15-19_GE3

পার্ট স্টক: 41153

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 150V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 85A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SUM70101EL-GE3

পার্ট স্টক: 5857

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.1 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHH11N65E-T1-GE3

পার্ট স্টক: 31998

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 363 mOhm @ 6A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHP7N60E-GE3

পার্ট স্টক: 31909

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHA21N65EF-E3

পার্ট স্টক: 14182

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 180 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

IRLL110TRPBF

পার্ট স্টক: 177510

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.5A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4V, 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 540 mOhm @ 900mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHH21N60EF-T1-GE3

পার্ট স্টক: 24041

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 185 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHB24N65ET1-GE3

পার্ট স্টক: 8432

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 24A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 145 mOhm @ 12A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQM100N10-10_GE3

পার্ট স্টক: 43589

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-E3

পার্ট স্টক: 35075

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 60A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SI7439DP-T1-GE3

পার্ট স্টক: 35018

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 150V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 6V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 5.2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SUM70040M-GE3

পার্ট স্টক: 40354

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 7.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHB20N50E-GE3

পার্ট স্টক: 20238

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 184 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SUM50020EL-GE3

পার্ট স্টক: 40423

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.1 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIHP15N60E-E3

পার্ট স্টক: 22504

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 280 mOhm @ 8A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQM120N06-06_GE3

পার্ট স্টক: 5875

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SUM40010EL-GE3

পার্ট স্টক: 42698

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SI7336ADP-T1-E3

পার্ট স্টক: 110356

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 mOhm @ 25A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQP90P06-07L_GE3

পার্ট স্টক: 8376

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQM120N03-1M5L_GE3

পার্ট স্টক: 39214

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 mOhm @ 30A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIDR610DP-T1-GE3

পার্ট স্টক: 8141

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 7.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 31.9 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIA459EDJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 190565

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 2.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 5A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SQP10250E_GE3

পার্ট স্টক: 8326

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 53A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 7.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 15A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Siliconix

SIB441EDK-T1-GE3

পার্ট স্টক: 166611

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 1.5V, 4.5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V,

ইচ্ছেতালিকা