Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
0RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে
FEP6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6ATHE3/45

পার্ট স্টক: 146551

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 975mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SBLF1640CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1640CT-E3/45

পার্ট স্টক: 4425

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRB15H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3/81

পার্ট স্টক: 3939

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 7.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 630mV @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR1535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1535CT-E3/45

পার্ট স্টক: 3992

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 7.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H50CTHE3/45

পার্ট স্টক: 3918

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 680mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SBLB25L20CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L20CTHE3/81

পার্ট স্টক: 4455

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 12.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 12.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF2535CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2535CTHE3/45

পার্ট স্টক: 3948

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-MBRB2535CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2535CTTRLP

পার্ট স্টক: 36214

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRB2050CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2050CTHE3/81

পার্ট স্টক: 4446

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 800mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-40L15CTSTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CTSTRLPBF

পার্ট স্টক: 26020

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 15V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 410mV @ 19A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-30CTH02FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTH02FPPBF

পার্ট স্টক: 55544

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.05V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB8JCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB8JCTHE3/81

পার্ট স্টক: 95909

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.75V @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS8P3CHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CHM3/86A

পার্ট স্টক: 4395

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H50CT-E3/45

পার্ট স্টক: 3917

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 680mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRB2035CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2035CTHE3/45

পার্ট স্টক: 3982

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-VSKD320-12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD320-12

পার্ট স্টক: 4079

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 320A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UB16BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB16BCT-E3/4W

পার্ট স্টক: 126433

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-6CWQ10FNTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRRPBF

পার্ট স্টক: 4500

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR25H45CTHE3/45

পার্ট স্টক: 78919

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 640mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRB2050CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2050CT-E3/81

পার্ট স্টক: 3968

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 800mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-12CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045SPBF

পার্ট স্টক: 71699

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 6A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-6CWQ04FNTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRPBF

পার্ট স্টক: 4076

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SBLB1030CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1030CT-E3/81

পার্ট স্টক: 3943

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
U16DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

U16DCT-E3/4W

পার্ট স্টক: 159159

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SBLB1040CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CTHE3/45

পার্ট স্টক: 3969

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-48CTQ060STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060STRRPBF

পার্ট স্টক: 33155

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 610mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF25H35CTHE3/45

পার্ট স্টক: 3959

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 640mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRB2535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2535CT-E3/45

পার্ট স্টক: 3925

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-12CWQ04FNTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRRPBF

পার্ট স্টক: 4472

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 6A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
M6060C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

M6060C-E3/45

পার্ট স্টক: 47171

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SBLB25L30CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3/45

পার্ট স্টক: 5487

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 12.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 12.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB6CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6CTHE3/81

পার্ট স্টক: 99490

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 975mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
U10CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

U10CCT-E3/4W

পার্ট স্টক: 173129

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UH4PBC-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PBC-M3/86A

পার্ট স্টক: 195776

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.05V @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UB10BCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10BCT-E3/8W

পার্ট স্টক: 145970

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-MURB2020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CTTRRP

পার্ট স্টক: 76667

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা