Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে
FEPF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JTHE3/45

পার্ট স্টক: 83743

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-E3-18

পার্ট স্টক: 179096

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ইচ্ছেতালিকা
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDH02-M3/I

পার্ট স্টক: 151030

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.03V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GIB2402HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2402HE3/81

পার্ট স্টক: 72465

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 975mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCTHE3/45

পার্ট স্টক: 107496

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-08

পার্ট স্টক: 180957

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 240V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 225mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GIB2404HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/81

পার্ট স্টক: 72465

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 975mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB18CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/81

পার্ট স্টক: 75239

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 9A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPF16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DTHE3/45

পার্ট স্টক: 83648

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/45

পার্ট স্টক: 94860

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 9A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPF16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JT-E3/45

পার্ট স্টক: 87528

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB18DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/81

পার্ট স্টক: 75249

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 9A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/45

পার্ট স্টক: 110617

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UG30APT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30APT-E3/45

পার্ট স্টক: 34458

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GIB2401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401HE3/45

পার্ট স্টক: 87451

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 975mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-G3-08

পার্ট স্টক: 185162

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 240V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 225mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/81

পার্ট স্টক: 103025

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/45

পার্ট স্টক: 90753

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 9A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06HM3/I

পার্ট স্টক: 106014

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGB18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/45

পার্ট স্টক: 90829

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 9A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB16DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DT-E3/81

পার্ট স্টক: 113329

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/81

পার্ট স্টক: 74564

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-HE3-08

পার্ট স্টক: 144372

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ইচ্ছেতালিকা
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/81

পার্ট স্টক: 84845

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-18

পার্ট স্টক: 192897

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 240V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 225mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-18

পার্ট স্টক: 141280

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 240V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 225mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/81

পার্ট স্টক: 69929

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UG10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10FCT-E3/45

পার্ট স্টক: 143640

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPF16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DT-E3/45

পার্ট স্টক: 86838

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/45

পার্ট স্টক: 82943

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGF18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18ACT-E3/45

পার্ট স্টক: 100167

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 9A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FEPB16CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CT-E3/81

পার্ট স্টক: 75327

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা