ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 100

18TQ045STRR

পার্ট স্টক: 169

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 18A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRR

পার্ট স্টক: 117

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 15V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 19A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 360mV @ 19A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045STRL

পার্ট স্টক: 144

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 18A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRL

পার্ট স্টক: 5027

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRR

পার্ট স্টক: 147

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060S

পার্ট স্টক: 148

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060

পার্ট স্টক: 159

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

150LR5A

পার্ট স্টক: 5549

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.33V @ 471A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

150KSR5

পার্ট স্টক: 95

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.33V @ 471A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

130HFR80PV

পার্ট স্টক: 101

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 130A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRL

পার্ট স্টক: 129

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 560mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRR

পার্ট স্টক: 174

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 560mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRL

পার্ট স্টক: 156

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 560mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRR

পার্ট স্টক: 95

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 560mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

পার্ট স্টক: 171

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

পার্ট স্টক: 82

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

পার্ট স্টক: 173

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 10A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

পার্ট স্টক: 98

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 10A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

পার্ট স্টক: 157

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 10A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

পার্ট স্টক: 94

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 10A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

পার্ট স্টক: 76

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.33V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 310ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

পার্ট স্টক: 99

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.33V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 310ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

পার্ট স্টক: 161

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.33V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 310ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

পার্ট স্টক: 131

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.33V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 310ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

পার্ট স্টক: 5088

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 145ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

পার্ট স্টক: 145

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 145ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

পার্ট স্টক: 152

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 145ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

পার্ট স্টক: 153

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 145ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

পার্ট স্টক: 112

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 145ns,

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

পার্ট স্টক: 160

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 18A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

পার্ট স্টক: 71

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 760mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

পার্ট স্টক: 130

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 760mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

পার্ট স্টক: 112

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 180A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 180A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

পার্ট স্টক: 135

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 180A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 180A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

পার্ট স্টক: 74

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 180A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 510mV @ 180A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

পার্ট স্টক: 104

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 180A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 660mV @ 180A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা