Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
30WQ04FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ04FNTRR

পার্ট স্টক: 123

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ04FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ04FNTRL

পার্ট স্টক: 5055

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ03FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ03FNTRL

পার্ট স্টক: 170

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ03FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ03FNTRR

পার্ট স্টক: 163

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30HFUR-600
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFUR-600

পার্ট স্টক: 180

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
30HFUR-400
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFUR-400

পার্ট স্টক: 146

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
30HFUR-100
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFUR-100

পার্ট স্টক: 88

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
300HFR40P
Vishay Semiconductor Diodes Division

300HFR40P

পার্ট স্টক: 5026

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 300A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
300UR5A
Vishay Semiconductor Diodes Division

300UR5A

পার্ট স্টক: 96

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 942A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
300HF40P
Vishay Semiconductor Diodes Division

300HF40P

পার্ট স্টক: 179

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 300A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPF10

পার্ট স্টক: 37

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 450ns,

ইচ্ছেতালিকা
30EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPF12

পার্ট স্টক: 59

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPF06

পার্ট স্টক: 59

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPF04

পার্ট স্টক: 5010

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPF02

পার্ট স্টক: 65

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30CPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

30CPF12

পার্ট স্টক: 106

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 450ns,

ইচ্ছেতালিকা
30CPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

30CPF10

পার্ট স্টক: 29

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 450ns,

ইচ্ছেতালিকা
30CPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

30CPF04

পার্ট স্টক: 69

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30CPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30CPF06

পার্ট স্টক: 124

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30HFU-600
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-600

পার্ট স্টক: 5043

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
30HFU-400
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-400

পার্ট স্টক: 78

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
30HFU-300
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-300

পার্ট স্টক: 88

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
30HFU-200
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-200

পার্ট স্টক: 37

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.45V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 80ns,

ইচ্ছেতালিকা
30WQ10FNTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTR

পার্ট স্টক: 10063

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ10FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FN

পার্ট স্টক: 9992

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ06FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FN

পার্ট স্টক: 5076

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 610mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ03FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ03FN

পার্ট স্টক: 10054

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30WQ04FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ04FN

পার্ট স্টক: 5548

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30BQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

30BQ100

পার্ট স্টক: 10062

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 790mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30CPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

30CPF02

পার্ট স্টক: 9995

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.41V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 160ns,

ইচ্ছেতালিকা
30BQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

30BQ060

পার্ট স্টক: 9983

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

30BQ040

পার্ট স্টক: 5077

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
30BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

30BQ015

পার্ট স্টক: 10069

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 15V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 350mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
301U120
Vishay Semiconductor Diodes Division

301U120

পার্ট স্টক: 9908

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 330A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.22V @ 942A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
301U80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301U80

পার্ট স্টক: 9947

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 330A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.22V @ 942A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
40EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

40EPF06

পার্ট স্টক: 1102

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 40A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 40A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 180ns,

ইচ্ছেতালিকা