Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
BYT51G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TR

পার্ট স্টক: 108131

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STAP

পার্ট স্টক: 136970

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 200mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BY203-20STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STR

পার্ট স্টক: 118044

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 2000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.4V @ 200mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TR

পার্ট স্টক: 167643

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TAP

পার্ট স্টক: 143810

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT51K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TAP

পার্ট স্টক: 146683

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYW33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TR

পার্ট স্টক: 150277

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYV16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TAP

পার্ট স্টক: 117767

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYV15-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TAP

পার্ট স্টক: 146909

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TR

পার্ট স্টক: 166400

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TAP

পার্ট স্টক: 131415

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TAP

পার্ট স্টক: 128469

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYX86TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TR

পার্ট স্টক: 169144

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYW34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TAP

পার্ট স্টক: 116076

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYW33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TAP

পার্ট স্টক: 105440

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT51K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TR

পার্ট স্টক: 182442

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYV16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TR

পার্ট স্টক: 179220

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYV37-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TAP

পার্ট স্টক: 150638

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TAP

পার্ট স্টক: 199187

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TR

পার্ট স্টক: 134763

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYV14-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TR

পার্ট স্টক: 153828

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 300ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT52D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TAP

পার্ট স্টক: 150232

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT53G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TR

পার্ট স্টক: 132124

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.9A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TAP

পার্ট স্টক: 142054

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYT53D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TAP

পার্ট স্টক: 196848

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.9A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYW32-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TAP

পার্ট স্টক: 187387

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT52K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TAP

পার্ট স্টক: 163520

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TAP

পার্ট স্টক: 169667

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT53A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TR

পার্ট স্টক: 125422

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.9A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TR

পার্ট স্টক: 135093

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYW52-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TAP

পার্ট স্টক: 182850

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYV27-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TAP

পার্ট স্টক: 172017

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 55V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.07V @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT54D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TAP

পার্ট স্টক: 111860

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYW55-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TR

পার্ট স্টক: 170956

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYW35-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TAP

পার্ট স্টক: 181459

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 500V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT52K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TR

পার্ট স্টক: 162625

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 200ns,

ইচ্ছেতালিকা