Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

পার্ট স্টক: 17865

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

পার্ট স্টক: 149622

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 1.5A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

পার্ট স্টক: 145929

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 3µs,

ইচ্ছেতালিকা
BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

পার্ট স্টক: 127396

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 3µs,

ইচ্ছেতালিকা
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

পার্ট স্টক: 102442

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 250mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 200mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

পার্ট স্টক: 135265

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 500ns,

ইচ্ছেতালিকা
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

পার্ট স্টক: 174638

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 70V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 100mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 5ns,

ইচ্ছেতালিকা
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

পার্ট স্টক: 165592

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 200mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

পার্ট স্টক: 154481

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

পার্ট স্টক: 108310

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 200mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

পার্ট স্টক: 191060

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

পার্ট স্টক: 119015

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

পার্ট স্টক: 164916

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 660mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

পার্ট স্টক: 162130

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 140ns,

ইচ্ছেতালিকা
B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

পার্ট স্টক: 143315

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

পার্ট স্টক: 144292

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 520mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

পার্ট স্টক: 191605

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 7.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

পার্ট স্টক: 189351

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

পার্ট স্টক: 136594

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

পার্ট স্টক: 166134

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.9V @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 60ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

পার্ট স্টক: 156933

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 75ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

পার্ট স্টক: 190205

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

পার্ট স্টক: 180095

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 520mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

পার্ট স্টক: 181153

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

পার্ট স্টক: 114583

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ইচ্ছেতালিকা
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

পার্ট স্টক: 141378

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.35V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 210ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

পার্ট স্টক: 119683

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.6V @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 120ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

পার্ট স্টক: 146611

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

ইচ্ছেতালিকা
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

পার্ট স্টক: 20320

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

পার্ট স্টক: 163973

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ইচ্ছেতালিকা
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

পার্ট স্টক: 20300

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 4µs,

ইচ্ছেতালিকা
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

পার্ট স্টক: 177974

ডায়োড প্রকার: Avalanche, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 7.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

পার্ট স্টক: 105347

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 3µs,

ইচ্ছেতালিকা
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

পার্ট স্টক: 177694

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 40mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 5ns,

ইচ্ছেতালিকা
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

পার্ট স্টক: 163088

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 15mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 5ns,

ইচ্ছেতালিকা
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

পার্ট স্টক: 187575

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 15mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 5ns,

ইচ্ছেতালিকা