Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
RS3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/57T

পার্ট স্টক: 113724

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 2.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

ইচ্ছেতালিকা
CS2G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2G-E3/H

পার্ট স্টক: 132

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 2A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.1µs,

ইচ্ছেতালিকা
S3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3KHE3_A/I

পার্ট স্টক: 104449

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 2.5A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
SL43-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL43-M3/9AT

পার্ট স্টক: 117465

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 420mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S5AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5AHE3_A/I

পার্ট স্টক: 153631

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 5A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
SE50PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PADHM3/I

পার্ট স্টক: 104555

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.16V @ 5A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
SSB43L-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43L-M3/52T

পার্ট স্টক: 165774

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26-M3/5BT

পার্ট স্টক: 133736

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS2P5-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P5-M3/85A

পার্ট স্টক: 116554

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VI20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100SG-E3/4W

পার্ট স্টক: 127604

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.07V @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS25-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS25-M3/52T

পার্ট স্টক: 151804

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SB2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2G-M3/52T

পার্ট স্টক: 139203

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 2A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2µs,

ইচ্ছেতালিকা
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M6-M3/I

পার্ট স্টক: 140

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UF1005-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1005-M3/73

পার্ট স্টক: 176003

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 75ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS2P3HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P3HM3/85A

পার্ট স্টক: 164762

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS2P2HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2HM3/85A

পার্ট স্টক: 138117

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-MBRS130L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS130L-M3/5BT

পার্ট স্টক: 137253

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 420mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MUR420-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR420-M3/73

পার্ট স্টক: 154083

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 890mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 35ns,

ইচ্ছেতালিকা
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PADHM3/I

পার্ট স্টক: 103507

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.16V @ 3A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.3µs,

ইচ্ছেতালিকা
V3PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V3PAL45-M3/I

পার্ট স্টক: 159362

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 540mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VFT760-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT760-M3/4W

পার্ট স্টক: 184095

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 7.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 800mV @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SL22HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22HE3_A/H

পার্ট স্টক: 140172

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 395mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S1PBHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PBHM3/85A

পার্ট স্টক: 150868

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 1.8µs,

ইচ্ছেতালিকা
VS-2EGH02HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EGH02HM3_A/I

পার্ট স্টক: 184289

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
VS-30BQ040HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ040HM3/9AT

পার্ট স্টক: 191497

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UF4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4006-M3/73

পার্ট স্টক: 139960

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 75ns,

ইচ্ছেতালিকা
V20PWM15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM15-M3/I

পার্ট স্টক: 187949

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.47V @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3K-M3/9AT

পার্ট স্টক: 187118

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.15V @ 2.5A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6B

পার্ট স্টক: 109678

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 930mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

ইচ্ছেতালিকা
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150S-E3/4W

পার্ট স্টক: 106643

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.43V @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS1P4-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4-M3/84A

পার্ট স্টক: 126389

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UG4D-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4D-M3/54

পার্ট স্টক: 132157

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

ইচ্ছেতালিকা
VSSAF3M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/I

পার্ট স্টক: 164

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30100SG-E3/4W

পার্ট স্টক: 109814

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VIT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080S-E3/4W

পার্ট স্টক: 65447

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10HM3/H

পার্ট স্টক: 116

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা