Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
VS-15ETH03SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15ETH03SPBF

পার্ট স্টক: 38832

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 32ns,

ইচ্ছেতালিকা
VS-300UR20A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300UR20A

পার্ট স্টক: 1638

ডায়োড প্রকার: Standard, Reverse Polarity, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 942A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V15P45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45-M3/87A

পার্ট স্টক: 183477

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4.8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-4ESH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01HM3/87A

পার্ট স্টক: 197463

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 930mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

ইচ্ছেতালিকা
SS8PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH9HM3_A/H

পার্ট স্টক: 166

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V10P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12-M3/86A

পার্ট স্টক: 157214

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/87A

পার্ট স্টক: 108288

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 4A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
SB260-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB260-E3/53

পার্ট স্টক: 144793

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 680mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V8PL6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/87A

পার্ট স্টক: 187671

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4.3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V15P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/H

পার্ট স্টক: 152

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJ-M3/87A

পার্ট স্টক: 101943

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 4A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
V10PM12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12HM3_A/H

পার্ট স্টক: 141957

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.9A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 830mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SB2H90-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H90-E3/73

পার্ট স্টক: 113560

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 790mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V10P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6-M3/87A

পার্ট স্টক: 179446

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4.3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 590mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
S4PBHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PBHM3_A/H

পার্ট স্টক: 133056

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 4A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 2.5µs,

ইচ্ছেতালিকা
SS8PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH10HM3_A/I

পার্ট স্টক: 115

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-25FR60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25FR60

পার্ট স্টক: 11665

ডায়োড প্রকার: Standard, Reverse Polarity, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 78A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SS5P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P10HM3_A/I

পার্ট স্টক: 154

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-18TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045S-M3

পার্ট স্টক: 95130

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 18A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 18A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MUR120/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR120/54

পার্ট স্টক: 181036

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 875mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 35ns,

ইচ্ছেতালিকা
VS-10TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRR-M3

পার্ট স্টক: 89375

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V10P45S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45S-M3/87A

পার্ট স্টক: 178148

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4.4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-50WQ10FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNHM3

পার্ট স্টক: 84421

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 770mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-30WQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRR-M3

পার্ট স্টক: 114111

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-10TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRL-M3

পার্ট স্টক: 87830

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-4ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01-M3/86A

পার্ট স্টক: 185400

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 930mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 20ns,

ইচ্ছেতালিকা
VS-50WQ03FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNHM3

পার্ট স্টক: 163878

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 460mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V8P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45-M3/86A

পার্ট স্টক: 184786

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4.3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-20TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045S-M3

পার্ট স্টক: 98453

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-MBRB1035TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035TRL-M3

পার্ট স্টক: 99247

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V10PM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/H

পার্ট স্টক: 161

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V12P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6-M3/87A

পার্ট স্টক: 148947

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4.6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 610mV @ 12A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
V8P45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/I

পার্ট স্টক: 140

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-MBRD330TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TRR-M3

পার্ট স্টক: 124872

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-MBRD340-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340-M3

পার্ট স্টক: 188216

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
VS-10WQ045FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRL-M3

পার্ট স্টক: 174495

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 630mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা