ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

CPW2-1200-S010B-FR1

পার্ট স্টক: 9531

CPW2-1200-S010BP

পার্ট স্টক: 5043

CPW2-1200-S005B-FR1

পার্ট স্টক: 9533

C3D03060E

পার্ট স্টক: 50240

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 11A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 3A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

CPW2-1200-S005B

পার্ট স্টক: 9536

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 17.5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C4D10120E

পার্ট স্টক: 6526

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 33A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 10A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C3D06060F

পার্ট স্টক: 25319

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 7.5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C4D02120E

পার্ট স্টক: 51855

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 2A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

CSD01060E

পার্ট স্টক: 71851

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 1A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C3D06060A

পার্ট স্টক: 25267

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 19A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C4D05120E

পার্ট স্টক: 13087

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 19A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

CSD01060E-TR

পার্ট স্টক: 114503

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 1A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C3D10060G

পার্ট স্টক: 15193

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 29A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 10A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C4D02120A

পার্ট স্টক: 32495

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.8V @ 2A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C3D04060E

পার্ট স্টক: 37785

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 13.5A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

C3D1P7060Q

পার্ট স্টক: 167440

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 9.7A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 1.7A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,