প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Manganese Zinc Ferrite, আনয়ন: 68µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 11.2A, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 10.7A,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Manganese Zinc Ferrite, আনয়ন: 33µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 13A, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 16.3A,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 22µH, সহনশীলতা: ±30%, বর্তমান রেরতিং: 220mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 250mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 47mH, সহনশীলতা: ±10%, বর্তমান রেরতিং: 70mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 70mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 150mH, সহনশীলতা: ±5%, বর্তমান রেরতিং: 30mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 40mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 100mH, সহনশীলতা: ±10%, বর্তমান রেরতিং: 50mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 50mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 56nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 150mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 68nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 150mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 39nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 200mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 47nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 200mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 27nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 250mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 33nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 250mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 15nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 18nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 22nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 250mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 10nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 12nH, সহনশীলতা: ±2%, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 8.2nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 5.6nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 4.7nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 3.9nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 2.7nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 1.8nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 2.2nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 300mA,
প্রকার: Thin Film, আনয়ন: 1nH, সহনশীলতা: ±0.1nH, বর্তমান রেরতিং: 800mA,
প্রকার: Multilayer, আনয়ন: 10µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 500mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 350mA,
প্রকার: Multilayer, আনয়ন: 4.7µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 750mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 850mA,
প্রকার: Multilayer, আনয়ন: 6.8µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 700mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 600mA,
প্রকার: Multilayer, আনয়ন: 2.2µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 850mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 1.1A,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 27µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 4.3A, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 3.1A,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 2.5µH, সহনশীলতা: ±20%, বর্তমান রেরতিং: 8.4A, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 10.5A,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 47µH, সহনশীলতা: ±30%, বর্তমান রেরতিং: 250mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 200mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 22µH, সহনশীলতা: ±30%, বর্তমান রেরতিং: 410mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 300mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 33µH, সহনশীলতা: ±30%, বর্তমান রেরতিং: 325mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 260mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 22µH, সহনশীলতা: ±30%, বর্তমান রেরতিং: 350mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 270mA,
প্রকার: Wirewound, উপাদান - কোর: Ferrite, আনয়ন: 15µH, সহনশীলতা: ±30%, বর্তমান রেরতিং: 450mA, কারেন্ট - স্যাচুরেশন: 350mA,
