টাইপ. | বর্ণনা |
পার্ট স্ট্যাটাস | Obsolete |
---|---|
FET প্রকার | - |
প্রযুক্তি | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 650V |
কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড | 16A (Tc) (155°C) |
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস) | - |
আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস | 105 mOhm @ 16A |
ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি | - |
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস | - |
Vgs (সর্বোচ্চ) | - |
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds | 1534pF @ 35V |
FET বৈশিষ্ট্য | - |
বিদ্যুৎ অপসারণ (সর্বোচ্চ) | 330W (Tc) |
অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 225°C (TJ) |
মাউন্টিং প্রকার | Surface Mount |
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-276 |
প্যাকেজ / কেস | TO-276AA |
RoHS অবস্থা | RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
---|---|
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | প্রযোজ্য নয় |
জীবনযাত্রার অবস্থা | অপ্রচলিত / জীবনের শেষ |
স্টক বিভাগ | মজুতে সহজলভ্য, সহজপ্রাপ্ত, সহজলভ্য |