| টাইপ. | বর্ণনা |
| পার্ট স্ট্যাটাস | Active |
|---|---|
| FET প্রকার | N-Channel |
| প্রযুক্তি | SiCFET (Silicon Carbide) |
| উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 1200V |
| কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড | 10A (Tc) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস) | 20V |
| আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস | 370 mOhm @ 6A, 20V |
| ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস | 20.4nC @ 20V |
| Vgs (সর্বোচ্চ) | +25V, -10V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds | 259pF @ 1000V |
| FET বৈশিষ্ট্য | - |
| বিদ্যুৎ অপসারণ (সর্বোচ্চ) | 62.5W (Tc) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| মাউন্টিং প্রকার | Through Hole |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-247-3 |
| প্যাকেজ / কেস | TO-247-3 |
| RoHS অবস্থা | RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
|---|---|
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | প্রযোজ্য নয় |
| জীবনযাত্রার অবস্থা | অপ্রচলিত / জীবনের শেষ |
| স্টক বিভাগ | মজুতে সহজলভ্য, সহজপ্রাপ্ত, সহজলভ্য |
