| টাইপ. | বর্ণনা |
| পার্ট স্ট্যাটাস | Active |
|---|---|
| FET প্রকার | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET বৈশিষ্ট্য | GaNFET (Gallium Nitride) |
| উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 30V |
| কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড | 16A (Ta) |
| আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
| ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি | 2.5V @ 5mA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| শক্তি - সর্বোচ্চ | - |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| মাউন্টিং প্রকার | Surface Mount |
| প্যাকেজ / কেস | Die |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | Die |
| RoHS অবস্থা | RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
|---|---|
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | প্রযোজ্য নয় |
| জীবনযাত্রার অবস্থা | অপ্রচলিত / জীবনের শেষ |
| স্টক বিভাগ | মজুতে সহজলভ্য, সহজপ্রাপ্ত, সহজলভ্য |
